Karbidu dengtas reaktoriaus statinės susceptorius

Semicorex Carbide Coated Reactor Barrel Susceptor yra aukščiausios kokybės grafito gaminys, padengtas didelio grynumo SiC, sukurtas specialiai LPE procesams. Dėl puikaus atsparumo karščiui ir korozijai šis produktas puikiai tinka naudoti puslaidininkių gamyboje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Jei ieškote didelio našumo grafito susceptoriaus, skirto puslaidininkinių plokštelių epitaksiniam sluoksniui formuoti, Semicorex Carbide Coated Reactor Barrel Susceptor yra puikus pasirinkimas. Jo silicio karbido danga užtikrina puikų šilumos paskirstymą ir šilumos laidumą, užtikrinantį išskirtinį veikimą net ir sudėtingiausioje aukštos temperatūros aplinkoje.

„Semicorex“ daugiausia dėmesio skiria aukštos kokybės, ekonomiškai karbidu dengto reaktoriaus vamzdžio susceptoriumi, teikiame pirmenybę klientų pasitenkinimui ir siūlome ekonomiškus sprendimus. Tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu, tiekiančiu aukštos kokybės produktus ir išskirtinį klientų aptarnavimą.

Karbidu dengto reaktoriaus statinės susceptoriaus parametrai

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J kg-1 K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300

Karbidu dengto reaktoriaus vamzdžio susceptoriaus ypatybės

- Tiek grafito substratas, tiek silicio karbido sluoksnis turi gerą tankį ir gali atlikti gerą apsauginį vaidmenį aukštoje temperatūroje ir korozinėje darbo aplinkoje.

- Silicio karbidu padengtas susceptorius, naudojamas monokristalams auginti, turi labai didelį paviršiaus lygumą.

- Sumažinkite šiluminio plėtimosi koeficiento skirtumą tarp grafito pagrindo ir silicio karbido sluoksnio, efektyviai pagerinkite sukibimo stiprumą, kad išvengtumėte įtrūkimų ir delaminacijos.

- Tiek grafito pagrindas, tiek silicio karbido sluoksnis pasižymi dideliu šilumos laidumu ir puikiomis šilumos paskirstymo savybėmis.

- Aukšta lydymosi temperatūra, atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje, atsparumas korozijai.