Silicio karbido (SiC) epitaksija yra pagrindinė technologija puslaidininkių srityje, ypač kuriant didelės galios elektroninius prietaisus. SiC yra sudėtinis puslaidininkis su plačiu pralaidumu, todėl jis idealiai tinka naudoti, kai reikia veikti aukštoje temperatūroje ir aukštoje įtampoje.
Skaityti daugiauEpitaksinis plokštelių procesas yra labai svarbus puslaidininkių gamybos metodas. Tai apima plono kristalinės medžiagos sluoksnio augimą ant pagrindo, kurio kristalinė struktūra ir orientacija yra tokia pati kaip substratas. Šis procesas sukuria aukštos kokybės sąsają tarp dviejų medžiagų ir leidžia......
Skaityti daugiauEpitaksinės plokštelės elektronikos pramonėje naudojamos dešimtmečius, tačiau tobulėjant technologijoms jų svarba tik didėjo. Šiame straipsnyje mes išnagrinėsime, kas yra epitaksinės plokštelės ir kodėl jos yra toks esminis šiuolaikinės elektronikos komponentas.
Skaityti daugiauPuslaidininkiai yra medžiagos, nukreipiančios elektrines savybes tarp laidininkų ir izoliatorių, turinčios vienodą elektronų praradimo ir padidėjimo tikimybę atokiausiame atomo branduolio sluoksnyje, ir yra lengvai paverčiamos PN jungtimis. Tokios kaip „silicis (Si)“, „germanis (Ge)“ ir kitos medžia......
Skaityti daugiau