Puslaidininkių pramonėje epitaksiniai sluoksniai atlieka lemiamą vaidmenį, sudarydami specifines vieno kristalo plonas plėveles ant plokštelės pagrindo, bendrai žinomas kaip epitaksinės plokštelės. Visų pirma, silicio karbido (SiC) epitaksiniai sluoksniai, auginami ant laidžių SiC substratų, gamina ......
Skaityti daugiauŠiuo metu dauguma SiC substrato gamintojų taiko naują tiglio terminio lauko proceso konstrukciją su akytais grafito cilindrais: didelio grynumo SiC dalelių žaliavas deda tarp grafito tiglio sienelės ir akytojo grafito cilindro, kartu gilina visą tiglį ir padidina tiglio skersmenį.
Skaityti daugiauEpitaksinis augimas reiškia kristalografiškai gerai sutvarkyto monokristalinio sluoksnio auginimą ant substrato. Paprastai tariant, epitaksinis augimas apima kristalinio sluoksnio auginimą ant vieno kristalo substrato, o užaugęs sluoksnis turi tą pačią kristalografinę orientaciją kaip ir pradinis su......
Skaityti daugiauCheminis nusodinimas iš garų (CVD) reiškia proceso technologiją, kai keli dujiniai reagentai, esant įvairiems daliniams slėgiams, vyksta chemine reakcija tam tikromis temperatūros ir slėgio sąlygomis. Susidariusi kieta medžiaga nusėda ant pagrindo medžiagos paviršiaus ir taip susidaro norima plona p......
Skaityti daugiau