Silicio karbidas (SiC) yra medžiaga, turinti didelę sukibimo energiją, panašią į kitas kietas medžiagas, tokias kaip deimantas ir kubinis boro nitridas. Tačiau dėl didelės SiC jungties energijos sunku kristalizuotis tiesiai į luitus tradiciniais lydymosi metodais. Todėl silicio karbido kristalų augi......
Skaityti daugiauSilicio karbido pramonė apima procesų grandinę, apimančią substrato kūrimą, epitaksinį augimą, prietaiso dizainą, prietaisų gamybą, pakavimą ir bandymus. Paprastai silicio karbidas sukuriamas kaip luitai, kurie vėliau supjaustomi, šlifuojami ir poliruojami, kad susidarytų silicio karbido substratas.
Skaityti daugiauPuslaidininkines medžiagas galima suskirstyti į tris kartas pagal laiko seką. Pirmoji germanio, silicio ir kitų įprastų monomedžiagų karta, kuriai būdingas patogus perjungimas, dažniausiai naudojamas integriniuose grandynuose. Antrosios kartos galio arsenidas, indžio fosfidas ir kiti sudėtiniai pusl......
Skaityti daugiauDėl puikių fizikinių ir cheminių savybių silicio karbidas (SiC) yra svarbus pritaikymas tokiose srityse kaip galios elektronika, aukšto dažnio RF įrenginiai ir jutikliai, skirti aukštai temperatūrai atsparioje aplinkoje. Tačiau pjaustymo operacija SiC plokštelių apdorojimo metu sukelia pažeidimus an......
Skaityti daugiauŠiuo metu yra tiriamos kelios medžiagos, tarp kurių silicio karbidas išsiskiria kaip viena perspektyviausių. Panašiai kaip GaN, jis gali pasigirti didesne darbine įtampa, didesne gedimo įtampa ir geresniu laidumu, palyginti su siliciu. Be to, dėl didelio šilumos laidumo silicio karbidas gali būti na......
Skaityti daugiau