Kinija SiC substratas Gamintojai, tiekėjai, gamykla

Plonas puslaidininkinės medžiagos gabalas vadinamas plokštele, sudaryta iš labai grynos vieno kristalo medžiagos. Czochralskio procese cilindrinis labai gryno monokristalinio puslaidininkio luitas gaminamas iš lydalo ištraukiant sėklinį kristalą.

Silicio karbidas (SiC) ir jo politipai ilgą laiką buvo žmogaus civilizacijos dalis; Techninį šio kieto ir stabilaus junginio susidomėjimą 1885 ir 1892 m. įgyvendino Cowless ir Acheson šlifavimo ir pjovimo tikslais, todėl jis buvo gaminamas dideliu mastu.

Dėl puikių fizinių ir cheminių savybių silicio karbidas (SiC) yra puikus kandidatas įvairioms reikmėms, įskaitant aukštos temperatūros, didelės galios ir aukšto dažnio bei optoelektroninius įrenginius, sintezės reaktorių struktūrinį komponentą, dujomis aušinamų apvalkalų medžiagą. dalijimosi reaktoriai ir inertinė matrica Pu transmutacijai. Įvairūs SiC tipai, tokie kaip 3C, 6H ir 4H, buvo plačiai naudojami. Jonų implantavimas yra labai svarbus būdas selektyviai įterpti priedus gaminant Si pagrindu pagamintus prietaisus, gaminant p tipo ir n tipo SiC plokšteles.

Luitastada supjaustoma, kad susidarytų silicio karbido SiC plokštelės.

Silicio karbido medžiagos savybės

Įvairių tipų SiC plokštelės

Yra trys tipai:n tipo sic plokštelė, p tipo sic plokštelėirdidelio grynumo pusiau izoliuojanti sic plokštelė. Dopingas reiškia jonų implantavimą, kuris įveda priemaišų į silicio kristalą. Šie priedai leidžia kristalo atomams sudaryti joninius ryšius, todėl kadaise buvęs kristalas tampa išoriniu. Šis procesas įveda dviejų tipų priemaišas; N tipo ir P tipo. „Tipas“ priklauso nuo medžiagų, naudojamų cheminei reakcijai sukurti. Skirtumas tarp N tipo ir P tipo SiC plokštelių yra pagrindinė medžiaga, naudojama cheminei reakcijai sukelti dopingo metu. Priklausomai nuo naudojamos medžiagos, išorinė orbita turės penkis arba tris elektronus, iš kurių vienas įkrautas neigiamai (N tipo) ir vienas teigiamai įkrautas (P tipo).

N tipo SiC plokštelės daugiausia naudojamos naujose energetinėse transporto priemonėse, aukštos įtampos transmisijose ir pastotėse, buitinėse prekėse, greitųjų traukinių traukiniuose, varikliuose, fotovoltiniuose keitikliuose, impulsiniuose maitinimo šaltiniuose ir kt. įrangos patikimumą, sumažinant įrangos dydį ir gerinant įrangos veikimą, ir turi nepakeičiamų pranašumų gaminant galios elektroninius prietaisus.

Didelio grynumo pusiau izoliacinė SiC plokštelė daugiausia naudojama kaip didelės galios RF įrenginių substratas.

Epitaksija – III-V nitridų nusodinimas

SiC, GaN, AlxGa1-xN ir InyGa1-yN epitaksiniai sluoksniai ant SiC substrato arba safyro substrato.