- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
žinios
Specialūs silicio karbido keramikos paruošimo būdai
Silicio karbido (SiC) keraminės medžiagos turi daugybę puikių savybių, įskaitant atsparumą aukštai temperatūrai, stiprų atsparumą oksidacijai, puikų atsparumą dilimui, terminį stabilumą, mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, didelį šilumos laidumą, didelį kietumą, atsparumą šiluminiam smūgiui ir che......
Skaityti daugiau
GaN ir SiC: sambūvis ar pakeitimas?
Didesnio galios tankio ir efektyvumo siekis tapo pagrindiniu inovacijų varikliu įvairiose pramonės šakose, įskaitant duomenų centrus, atsinaujinančią energiją, buitinę elektroniką, elektrines transporto priemones ir autonominio vairavimo technologijas. Plačios juostos (WBG) medžiagų srityje galio ni......
Skaityti daugiau
Kas yra terminis laukas?
Vieno kristalo augimo srityje temperatūros pasiskirstymas kristalų augimo krosnyje vaidina lemiamą vaidmenį. Šis temperatūros pasiskirstymas, paprastai vadinamas terminiu lauku, yra gyvybiškai svarbus veiksnys, turintis įtakos auginamo kristalo kokybei ir savybėms. Šiluminis laukas gali būti suskirs......
Skaityti daugiau
