SiC plokštelių susceptoriai, skirti MOCVD

„Semicorex SiC Wafer Susceptors“, skirtas MOCVD, yra tikslumo ir naujovių pavyzdys, specialiai sukurtas palengvinti puslaidininkinių medžiagų epitaksinį nusodinimą ant plokštelių. Dėl puikių medžiagų savybių plokštės gali atlaikyti griežtas epitaksinio augimo sąlygas, įskaitant aukštą temperatūrą ir korozinę aplinką, todėl jos yra būtinos gaminant didelio tikslumo puslaidininkius. Mes, Semicorex, esame pasiryžę gaminti ir tiekti didelio našumo SiC Wafer Susceptors, skirtus MOCVD, kurie suderina kokybę su ekonomišku efektyvumu.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Šiluminio stabilumo, cheminio atsparumo ir mechaninio tvirtumo derinys užtikrina, kad „Semicorex SiC Wafer Susceptors“, skirtas MOCVD, turi ilgą tarnavimo laiką, net esant atšiaurioms apdorojimo sąlygoms:

1. Šie MOCVD SiC Wafer Susceptors yra sukurti taip, kad atlaikytų ypač aukštą temperatūrą, dažnai viršijančią 1500 °C, be degradacijos. Šis atsparumas yra labai svarbus procesams, kuriems reikalingas ilgalaikis aukštos temperatūros poveikis. Puikios šiluminės savybės sumažina šiluminius gradientus ir įtempius susceptoriuje, taip sumažindamos deformacijos ar deformacijos riziką esant ekstremalioms apdorojimo temperatūroms.

2. SiC Wafer Susceptors, skirtas MOCVD, SiC danga užtikrina išskirtinį atsparumą korozinėms cheminėms medžiagoms, naudojamoms CVD procesuose, pavyzdžiui, halogenų pagrindu pagamintoms dujoms. Šis inertiškumas užtikrina, kad nešikliai nereaguotų su proceso dujomis, taip išsaugomas nusodintų plėvelių vientisumas ir grynumas.

3. Tvirta šių SiC plokštelių, skirtų MOCVD, konstrukcija užtikrina, kad jie gali atlaikyti mechaninius tvarkymo ir apdorojimo įtempius, nesukeliant dalelių, kurios galėtų užteršti plokštelę. Susceptorių paviršiaus vienodumas skatina atkuriamas apdorojimo sąlygas, kurios yra būtinos gaminant puslaidininkinius įtaisus, kurių veikimas ir patikimumas yra vienodi.

Šie išplėstiniai aprašymai pabrėžia profesinius ir techninius SiC Wafer Susceptors, skirtų MOCVD, pranašumus puslaidininkių CVD procesuose, pabrėžiant jų unikalias savybes ir naudą išlaikant aukštus grynumo, našumo ir efektyvumo standartus gamybos procese.