Monokristalinio silicio plokštuminis taikinys

Monokristalinis silicisplokštuminis taikinys paprastai apdorojamas didelio tikslumo pjovimo įranga iš monokristalinio silicio luitų, pagamintų Czochralski metodu. Siekiant patenkinti klientų poreikius, monokristalinis silicio plokštuminis taikinys gali būti supjaustytas norimomis formomis jūsų gerbiamiems klientams. Tiksli šlifavimo ir poliravimo apdorojimo technologija užtikrina puikų tikslinės medžiagos paviršiaus lygumą, suteikdama tvirtą garantiją plonų plėvelių nusodinimui.

Monokristalinis silicio plokštuminis taikinys dedamas į vakuuminės reakcijos kamerą kartu su substratu, kuris turi būti padengtas plėvelės nusodinimo proceso metu. Kai monokristalinio silicio plokštuminis taikinys yra bombarduojamas didelės energijos jonais, jo paviršiuje esantys silicio atomai išpurškiami. Tada šie purškiami silicio atomai migruoja ir nusėda ant pagrindo paviršiaus, galiausiai sudarydami ploną silicio plėvelę.

Monokristalinio silicio plokštuminis taikinys yra plonasluoksnio nusodinimo medžiagos šaltinis. Visi ant plokštelės paviršiaus nusodinti silicio atomai yra kilę iš monokristalinio silicio plokščių taikinių. Todėl monokristalinio silicio plokštumos taikinio kokybė tiesiogiai lemia nusodintos plonos plėvelės grynumą, vienodumą ir kitas pagrindines savybes.

Puikios grynumo charakteristikos suteikia monokristaliniam silicio plokštuminiam taikiniui galimybę užkirsti kelią priemaišoms užteršti ploną plėvelę. Tai žymiai pagerina puslaidininkinių įtaisų elektrines charakteristikas. Plonų plėvelių vienodumo ir sukibimo pagerinimas yra naudingas dėl labai tvarkingos kristalų struktūros, dėl kurios purškiančios dalelės reguliariai migruoja ir nusėda ant plokštelės paviršiaus. Plokštumos konstrukcijos dizainas tinka didelio ploto ir didelio greičio purškimo reikalavimams ir yra taikomas didelio masto gamybos scenarijams, pvz., Puslaidininkinėms plokštelėms ir ekranų plokštėms.