Aukšto grynumo SiC konsolinis irklas

Semicorex didelio grynumo SiC konsolinis irklas pagamintas išSilicio karbido keramika, paprastai SiSiC. Tai SiC, pagamintas silicio infiltracijos būdu, kuris suteikiasilicio karbido keramikamedžiagų stiprumas ir našumas geresnis. Didelio grynumo SiC konsolinis irklas pavadintas pagal savo formą, tai ilga juostelė, su šoniniu ventiliatoriumi. Forma skirta palaikyti horizontalias vaflines valtis aukštos temperatūros krosnyje.

Jis daugiausia naudojamas oksidacijos, difuzijos, RTA / RTP puslaidininkių gamybos procese. Taigi atmosferą sudaro deguonis (reaktyviosios dujos), azotas (apsauginės dujos) ir nedidelis vandenilio chlorido kiekis. Temperatūra yra apie 1250°C. Taigi tai yra aukštos temperatūros oksidacijos aplinka. Šioje aplinkoje esanti dalis turi būti atspari oksidacijai ir gali atlaikyti aukštą temperatūrą.

Semicorex didelio grynumo SiC konsolinis irklas yra pagamintas 3D spausdinimo būdu, todėl yra vientisas liejimas ir gali atitikti aukštus dydžio ir apdorojimo reikalavimus. Konsolinis irklas bus pagamintas iš 2 dalių, korpuso ir jo dangos, Semicorex gali užtikrinti, kad priemaišų kiekis būtų <300 pm korpusui ir <5 ppm CVD SiC dangai. Taigi paviršius yra itin švarus, kad nepatektų nešvarumų ir teršalų. Taip pat medžiaga, pasižyminti dideliu atsparumu šiluminiam smūgiui, kad išlaikytų formą ir ilgą tarnavimo laiką.

Semicorex atlieka labai vertingą gamybos maršrutą. Kalbant apie SiC korpusą, pirmiausia paruošiame žaliavą ir sumaišome SiC miltelius, tada atliekame formavimą ir apdirbimą iki galutinės formos, o po to dalį sukepiname, kad pagerintume tankį ir daugelį cheminių savybių. Suformuojamas pagrindinis korpusas ir mes atliksime pačios keramikos apžiūrą ir kad atitiktų matmenų reikalavimą. Po to atliksime svarbų valymą. Įdėkite kvalifikuotą konsolinę irklą į ultragarso įrangą, kad išvalytumėte dulkes ir riebalus nuo paviršiaus. Po valymo įdėkite didelio grynumo SiC konsolinę mentelę į džiovinimo krosnį ir kepkite 80-120°C temperatūroje 4-6 valandas, kol vanduo išdžius.

Tada galime atlikti CVD dengimą ant korpuso. Dangos temperatūra 1200-1500 ℃ ir parenkama tinkama šildymo kreivė. Aukštoje temperatūroje silicio šaltinis ir anglies šaltinis chemiškai reaguoja, kad susidarytų nano masto SiC dalelės. SiC dalelės nuolat nusėda ant paviršiaus

dalis, kad susidarytų tankus plonas SiC sluoksnis. Dangos storis paprastai yra 100±20 μm. Po finišo bus organizuojama galutinė gaminių apžiūra dėl gaminių išvaizdos, grynumo, matmenų ir kt.