SiC padengtas grafito padėklas

Kaip pagrindinis epitaksinės įrangos komponentas,SiC padengtas grafito padėklas, tiesiogiai veikia gamybos efektyvumą, vienodumą ir epitaksinio sluoksnio augimo defektų dažnį.    

Dėl grafito valymo, tikslaus apdorojimo ir valymo grafito substrato paviršius gali pasiekti puikų lygumą ir lygumą, sėkmingai išvengiant dalelių užteršimo pavojaus. Cheminio nusodinimo garais metu grafito pagrindo paviršius vyksta cheminėje reakcijoje su reaktyviosiomis dujomis, todėl susidaro tanki, be porų ir vienodo storio silicio karbido (SiC) danga. Nuo pagrindo paruošimo iki dangos apdorojimo visas gamybos procesas vykdomas 100 klasės švarioje patalpoje, kuri atitinka puslaidininkiams tinkamus švaros standartus.

SiC dengtas grafito padėklas, pagamintas iš didelio grynumo mažai priemaišų grafito ir SiC medžiagų, pasižymi puikiu šilumos laidumu ir mažu šiluminio plėtimosi koeficientu. Tai ne tik leidžia SiC dengtam grafito padėklui greitai ir tolygiai perduoti šilumą, kad pagerintų epitaksinio sluoksnio augimo kokybę, bet ir veiksmingai sumažina dangos slinkimo ar įtrūkimo dėl terminio įtempio riziką. Be to, vienoda ir tanki SiC danga yra atspari aukštai temperatūrai, oksidacijai ir korozijai, užtikrina stabilų veikimą ilgą laiką esant aukštai temperatūrai ir korozinėms dujoms.

SiC dengtas grafito padėklas labiau suderinamas su metalo ir organinio cheminio nusodinimo garais (MOCVD) įranga. Jis buvo kruopščiai išmatuotas ir sukurtas taip, kad prisitaikytų prie skirtingų proceso parametrų ir įrangos reikalavimų. „Semicorex“ visada primygtinai reikalauja, kad mūsų vertinamiems klientams pasiūlytų profesionalias pritaikytas paslaugas, kurios tiksliai atitiktų jų reikalavimus dėl skirtingų dydžių, dangos storių ir SiC dengto grafito padėklo paviršiaus šiurkštumo.