Vaflių priėmėjas

Semicorex Wafer Susceptor yra meistriškai pagamintas iš grafito ir padengtas silicio karbidu (SiC), kad atitiktų sudėtingas šiuolaikinės puslaidininkių gamybos sąlygas.

Epitaksijos procesuose labai svarbu išlaikyti stabilią ir kontroliuojamą aplinką. Wafer Susceptor yra pagrindinė platforma, ant kurios dedamos plokštelės nusodinimo metu, atitinkančios tikslius temperatūros vienodumo, cheminio inertiškumo ir mechaninio stiprumo reikalavimus, kad būtų pasiekti aukštos kokybės epitaksiniai sluoksniai.

Grafitą, kaip pagrindinę Wafer Susceptor medžiagą, pasirinko jo puikus šilumos laidumas ir mechaninės savybės. Grafito gebėjimas atlaikyti aukštą temperatūrą išlaikant struktūrinį vientisumą yra labai svarbus epitaksinių reaktorių aukštos temperatūros aplinkoje. Be to, grafito šilumos laidumas užtikrina efektyvų šilumos paskirstymą plokštelėje, sumažindamas temperatūros gradientų riziką, dėl kurios gali atsirasti epitaksinio sluoksnio defektų.

Siekiant pagerinti Wafer Susceptor veikimą, grafito pagrindas yra meistriškai padengtas silicio karbido (SiC) danga. SiC yra labai patvari medžiaga, turinti puikų cheminį atsparumą, todėl idealiai tinka naudoti puslaidininkių aplinkoje, kur dažnai yra reaktyvių dujų. SiC danga suteikia apsauginį barjerą, kuris apsaugo grafitą nuo galimų cheminių reakcijų, užtikrina plokštelės susceptoriaus ilgaamžiškumą ir palaiko švarią aplinką reaktoriuje.

Semicorex Wafer Susceptor, pagamintas iš SiC padengto grafito, yra nepakeičiamas puslaidininkių epitaksijos procesų komponentas. Dėl grafito šiluminių ir mechaninių savybių derinio su silicio karbido cheminiu ir terminiu stabilumu jis idealiai tinka griežtiems šiuolaikinės puslaidininkių gamybos reikalavimams. Vienos plokštelės konstrukcija leidžia tiksliai valdyti epitaksijos procesą, prisidedant prie aukštos kokybės puslaidininkinių įtaisų gamybos. Šis susceptorius užtikrina, kad plokštelės būtų tvarkomos itin atsargiai ir tiksliai, todėl gaunami geresni epitaksiniai sluoksniai ir geresni puslaidininkiniai gaminiai.