Ir substratai

„Semicorex Si Substrate“ yra svarbus puslaidininkinių prietaisų, saulės elementų ir įvairių elektroninių komponentų gamybos komponentas. Dėl puikių silicio puslaidininkių savybių, kartu su jo terminiu ir mechaniniu stabilumu, jis yra dažniausiai elektronikoje naudojama substrato medžiaga. Taikant platų technologijų spektrą, pvz., integrinius grandynus (IC), saulės fotovoltinius elementus ir maitinimo įrenginius, Si substratas vaidina pagrindinį vaidmenį užtikrinant puslaidininkinių įrenginių veikimą, efektyvumą ir patikimumą. Mūsų Si substratas sukurtas taip, kad atitiktų griežtus šiuolaikinės elektronikos reikalavimus ir sudarytų optimalų pagrindą pažangioms puslaidininkių technologijoms.

Savybės ir specifikacijos

Aukšto grynumo medžiaga:Mūsų Si substratai gaminami naudojant labai gryną silicį, užtikrinantį minimalias priemaišas, galinčias turėti įtakos elektrinėms savybėms. Ši labai gryna medžiaga užtikrina puikų šilumos laidumą ir sumažina nepageidaujamus elektroninius trukdžius, o tai labai svarbu didelio našumo įrenginiuose.

Optimizuota kristalų orientacija:Si substratas yra įvairių kristalų orientacijų, įskaitant (100), (110) ir (111), kurių kiekviena tinka įvairioms reikmėms. Pavyzdžiui, orientacija (100) plačiai naudojama CMOS gamyboje, o (111) dažnai teikiama pirmenybė didelės galios programoms. Šis pasirinkimas leidžia vartotojams pritaikyti substratą pagal konkrečius įrenginio reikalavimus.

Paviršiaus kokybė ir plokštumas:Kad prietaisas veiktų optimaliai, būtina pasiekti lygų, be defektų paviršių. Mūsų Si substratai yra tiksliai poliruoti ir apdoroti, kad būtų užtikrintas mažas paviršiaus šiurkštumas ir didelis plokštumas. Šios savybės prisideda prie veiksmingo epitaksinio sluoksnio nusodinimo, sumažindamos vėlesnių sluoksnių defektus.

Terminis stabilumas:Dėl šiluminių silicio savybių jis tinka įrenginiams, kuriems reikalingas patikimas veikimas esant įvairioms temperatūroms. Mūsų Si substratas išlaiko stabilumą esant aukštos temperatūros procesams, tokiems kaip oksidacija ir difuzija, užtikrinant, kad jis gali atlaikyti sudėtingų puslaidininkių gamybos reikalavimus.

Tinkinimo parinktys:Siūlome įvairių storių, skersmenų ir dopingo lygių Si substratus. Tinkinimo parinktys leidžia gamintojams optimizuoti pagrindą pagal specifines elektrines savybes, pvz., varžą ir nešiklio koncentraciją, kurios yra labai svarbios derinant elektroninių prietaisų veikimą.

Programos

Integriniai grandynai (IC):Si substratas yra pagrindinė IC gamybos medžiaga, suteikianti stabilų ir vienodą pagrindą tokiems įrenginiams kaip procesoriai, atminties lustai ir jutikliai. Jo puikios elektroninės savybės leidžia tiksliai valdyti įrenginio parametrus, būtinus tankiam tranzistorių pakavimui šiuolaikiniuose IC.

Maitinimo įrenginiai:Si substratai dažnai naudojami galios puslaidininkiniuose įrenginiuose, tokiuose kaip MOSFET ir IGBT, kur būtinas didelis šilumos laidumas ir mechaninis stiprumas. Maitinimo įrenginiams reikalingi substratai, galintys atlaikyti aukštą įtampą ir sroves, o mūsų Si substratai pasižymi išskirtiniu našumu tokioje sudėtingoje aplinkoje.

Fotovoltiniai elementai:Silicis yra dažniausiai naudojama medžiaga fotovoltiniuose elementuose, nes jis efektyviai paverčia saulės šviesą į elektros energiją. Mūsų Si substratai yra labai grynas, stabilus pagrindas, reikalingas saulės elementų taikymui, užtikrinantis efektyvų šviesos sugertį ir didelę energijos išeigą, taip prisidedant prie atsinaujinančios energijos gamybos.

Mikroelektromechaninės sistemos (MEMS):MEMS įrenginiai dažnai remiasi Si substratais dėl jų stabilumo, lengvo mikroapdirbimo ir suderinamumo su įprastais puslaidininkių procesais. Naudojant jutiklius, pavaras ir mikrofluidinius įrenginius, naudingas Si substrato patvarumas ir tikslumas.

Optoelektroniniai įrenginiai:Šviesos diodams (LED) ir lazeriniams diodams Si Substrate siūlo platformą, suderinamą su įvairiais plonasluoksnių nusodinimo procesais. Jo šiluminės ir elektrinės savybės užtikrina patikimą veikimą optoelektronikoje.