ICP silicio anglimi dengtas grafitas

Semicorex ICP silicio anglimi dengtas grafitas yra idealus pasirinkimas sudėtingiems plokštelių tvarkymo ir plonasluoksnių nusodinimo procesams. Mūsų gaminys pasižymi puikiu atsparumu karščiui ir korozijai, tolygiu terminiu vienodumu ir optimaliais laminarinių dujų srauto modeliais.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Plokščių laikikliai, naudojami epitaksiniam augimui apdoroti, turi atlaikyti aukštą temperatūrą ir atšiaurų cheminį valymą. Semicorex ICP silicio anglimi dengti grafito susceptoriai yra sukurti specialiai šioms sudėtingoms epitaksinės įrangos programoms. Mūsų gaminys sukurtas taip, kad atlaikytų aukštą temperatūrą ir atšiaurų cheminį valymą, užtikrinant ilgaamžiškumą ir optimalius rezultatus.
Mūsų ICP silicio anglimi dengtas grafitas sukurtas taip, kad būtų pasiektas geriausias laminarinio dujų srauto modelis, užtikrinantis šiluminio profilio tolygumą. Tai padeda išvengti bet kokio užteršimo ar priemaišų sklaidos ir užtikrina aukštos kokybės epitaksinį augimą ant plokštelės lusto.
Susisiekite su mumis šiandien ir sužinokite daugiau apie mūsų ICP silicio anglimi dengtą grafitą.

ICP silicio anglimi dengto grafito parametrai

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J kg-1 K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300