ICP plazminio ėsdinimo plokštė

„Semicorex“ ICP plazminė ėsdinimo plokštė užtikrina puikų atsparumą karščiui ir korozijai plokštelių tvarkymo ir plonos plėvelės nusodinimo procesuose. Mūsų gaminys sukurtas taip, kad atlaikytų aukštą temperatūrą ir atšiaurų cheminį valymą, užtikrinant patvarumą ir ilgaamžiškumą. Švarus ir lygus paviršius mūsų laikiklis puikiai tinka tvarkyti nesugadintus vaflius.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Kalbant apie plonos plėvelės nusodinimą ir plokštelių tvarkymą, pasitikėkite Semicorex ICP plazmine ėsdinimo plokšte. Mūsų gaminys pasižymi puikiu atsparumu karščiui ir korozijai, vienodu terminiu vienodumu ir optimaliais laminarinių dujų srauto modeliais. Švarus ir lygus paviršius mūsų laikiklis puikiai tinka tvarkyti nesugadintus vaflius.

Mūsų ICP plazminio ėsdinimo plokštė sukurta taip, kad būtų pasiektas geriausias laminarinio dujų srauto modelis, užtikrinantis šiluminio profilio tolygumą. Tai padeda išvengti bet kokio užteršimo ar priemaišų sklaidos ir užtikrina aukštos kokybės epitaksinį augimą ant plokštelės lusto.

Susisiekite su mumis šiandien ir sužinokite daugiau apie mūsų ICP plazmos ėsdinimo plokštę.

ICP plazminio ėsdinimo plokštės parametrai

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J kg-1 K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300