Tantalo karbido tiglis

„Semicorex“ tantalo karbido tiglis yra kruopščiai pagamintas iš grafito, kuris vėliau padengiamas tantalo karbidu (TaC), kuris užtikrina puikų našumą aukštos temperatūros ir chemiškai reikalaujančioje SiC kristalų augimo aplinkoje.

Tantalo karbidas yra ugniai atspari keraminė medžiaga, žinoma dėl savo išskirtinio kietumo, cheminio atsparumo ir gebėjimo išlaikyti konstrukcijos vientisumą esant itin aukštai temperatūrai. Padengęs grafito tiglį TaC, tantalo karbido tiglis paveldi šias naudingas savybes, žymiai padidindamas jo veikimą ir tarnavimo laiką. TaC danga veikia kaip apsauginė barjera, neleidžianti grafitui reaguoti su SiC medžiaga ar kitomis augimo proceso metu esančiomis dujomis. Tai užtikrina, kad tiglis išlaikys vientisumą ir nepateks jokių teršalų, galinčių pakenkti SiC kristalų kokybei.

Tantalo karbido tiglis gali veikti aukštesnėje temperatūroje, reikalingoje SiC kristalų augimui. SiC kristalai paprastai auginami aukštesnėje nei 2000 °C temperatūroje, o tokios aukštos temperatūros nuoseklus palaikymas yra labai svarbus norint pagaminti aukštos kokybės kristalus. TaC dengtas grafito tiglis gali atlaikyti šias ekstremalias sąlygas nedeformuodamas ir nesuirdamas, suteikdamas stabilią aplinką kristalų augimo procesui. Šis stabilumas yra būtinas norint pasiekti pageidaujamą kristalų dydį, grynumą ir struktūrines savybes, reikalingas puslaidininkiams.

Tantalo karbido tiglis pasižymi dideliu cheminiu atsparumu, todėl jie yra būtini SiC kristalų augimui. Viso augimo proceso metu įvedamos įvairios dujos ir reaktyvios medžiagos, padedančios formuotis SiC kristalams. Ši aplinka gali būti labai ėsdinanti ir kelti pavojų tiglio struktūriniam vientisumui. TaC danga efektyviai apsaugo grafitą nuo šių korozinių elementų, užtikrindama, kad tiglis proceso metu išliks nepažeistas ir veiks. Šis atsparumas cheminiam poveikiui ne tik prailgina tiglio tarnavimo laiką, bet ir prisideda prie bendro kristalų auginimo operacijos efektyvumo ir ekonomiškumo.