TaC danga viršutinė pusmėnulis

„Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon“ yra specialiai sukurtas komponentas, pritaikytas didelio efektyvumo epitaksiniams procesams puslaidininkių gamybos srityje. „TaC Coating Upper Halfmoon“ gabalas sukurtas taip, kad sklandžiai tilptų į epitaksinius reaktorius, užtikrinant išskirtinį patvarumą ir stabilumą ekstremaliomis sąlygomis.

TaC danga pasižymi puikiu atsparumu aukštai temperatūrai, todėl „TaC Coating Upper Halfmoon“ idealiai tinka sudėtingoms epitaksinių procesų šiluminėms aplinkoms. Taip užtikrinamas pastovus veikimas ir ilgaamžiškumas, sumažinamas keitimų dažnis ir prastovos. „TaC Coating Upper Halfmoon“ gali atlaikyti koroziją sukeliančias dujas ir chemines medžiagas, dažniausiai naudojamas epitaksiniam augimui, apsaugant komponento vientisumą ir išlaikant proceso grynumą.

Lygi ir vienoda TaC danga pagerina epitaksinių sluoksnių kokybę, sumažindama defektų ir nešvarumų skaičių. Tai prisideda prie didesnio našumo ir geresnių puslaidininkinių įtaisų elektroninių savybių. Šiluminio ir cheminio atsparumo derinys prailgina „TaC Coating Upper Halfmoon“ eksploatavimo laiką, suteikdamas ekonomišką sprendimą palaikant aukštą našumą ir efektyvumą gaminant puslaidininkius.

Programos:

Aukštos temperatūros cheminio nusodinimo garais (CVD) procesai

Silicio karbido (SiC) ir galio nitrido (GaN) epitaksija

Techninės specifikacijos:

Medžiaga: Tantalo karbido (TaC) danga

Temperatūros diapazonas: iki 2200°C

Cheminis atsparumas: puikiai veikia HF, HCl ir kitas ėsdinančias dujas

Matmenys: pritaikomi pagal konkrečius reaktorių modelius

„Semicorex TaC Coating Upper Halfmoon“ yra esminis komponentas, norint sukurti aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius su geresniu efektyvumu ir sumažinta užteršimo rizika. Dėl pažangių medžiagų savybių ir tikslios inžinerijos jis yra vertingas puslaidininkių pramonės turtas, padedantis gaminti naujos kartos elektroninius prietaisus.