TAC dangos pusės mėnulio dalis

TAC keramikos lydymosi taškas yra iki 3880 ° C, didelis kietumas (MOHS kietumas 9-10), didelis šilumos laidumas (22W · M-1 · k-1), didelis lenkimo stipris (340–400MPa) ir nedidelis šiluminio išsiplėtimo koeficientas (6,6 × 10–6K-1). Jie taip pat pasižymi puikiu termocheminiu stabilumu ir puikiomis fizinėmis savybėmis, taip pat turi gerą cheminį ir mechaninį suderinamumą su grafito ir C/C kompozitais. Todėl TAC dangos yra plačiai naudojamos šiluminės apsaugos nuo aviacijos ir kosmoso, vieno kristalų augimo, energijos elektronikos ir medicinos prietaisų.

TAC dengtas grafitas turi geresnį cheminį atsparumą korozijai nei plikas grafitas ar SiC dengtas grafitas, gali būti stabiliai naudojamas esant aukštai 2600 ° temperatūrai ir nereaguoja su daugeliu metalinių elementų. Tai yra geriausia danga trečiosios kartos puslaidininkių pavienių kristalų augimo ir vaflių ėsdinimo scenarijuose ir gali žymiai pagerinti temperatūros ir priemaišų kontrolę proceso metu ir paruošti aukštos kokybės silicio karbido vaflius ir susijusias epitaksialinius vaflius. Tai ypač tinka auginant GAN ar ALN pavienius kristalus su MOCVD įranga ir auginant SIC pavienius kristalus su PVT įranga. Suaugusių pavienių kristalų kokybė žymiai pagerėja.

Šis produktas yra idealus sprendimas gamintojams, teikiantiems prioritetą tikslumui, efektyvumui ir ilgaamžiškumui jų epitaksijos procesuose. Pasitikėkite „Semicorex“ dėl aukšto našumo sprendimų, skirtų patenkinti kintančius puslaidininkių pramonės poreikius.