TaC padengtas sėklų kristalų laikiklis

TaC padengtas sėklų kristalų laikiklis yra didelio našumo komponentas, specialiai sukurtas puslaidininkinių medžiagų augimo aplinkai. „Semicorex“, kaip pirmaujanti TTaC padengtų sėklinių kristalų laikiklių gamintoja, siūlo jums efektyvius pagrindinių komponentų sprendimus aukščiausios klasės puslaidininkių gamybos srityje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Substratas išPadengtas TaCsėklų kristalų laikiklis paprastai yra pagamintas iš grafito, silicio karbido arba anglies / anglies kompozicinių medžiagų, o tada ant jo paviršiaus padengiamas TaC dangos sluoksnis naudojant pažangią itin aukštos temperatūros cheminio nusodinimo garais (CVD) technologiją. Šiuo metodu pagamintas TaC dengtas sėklų kristalų laikiklis pasižymi puikiu atsparumu korozijai, itin mechaniniu stiprumu, geru atsparumu aukštai temperatūrai ir efektyviu šilumos laidumu.

TaC padengto sėklų kristalų laikiklio funkcija

1.Atraminė funkcija

„Semicorex“ TaC padengtas sėklų kristalų laikiklis suteikia stabilią atramą sėkliniams kristalams, todėl sėklų kristalai išlaiko fiksuotą padėtį sudėtingomis sąlygomis, tokiomis kaip aukšta temperatūra ir didelis vakuumas. Tai veiksmingai apsaugo nuo tokių problemų kaip kristalų poslinkis arba pažeidimai dėl vibracijos ir oro srauto ir taip užtikrina kristalų augimo tęstinumą ir stabilumą.

2. Apsauginis poveikis

sėklų kristalų laikiklis paprastai yra pagamintas iš grafito, silicio karbido arba anglies / anglies kompozicinių medžiagų, o tada ant jo paviršiaus padengiamas TaC dangos sluoksnis naudojant pažangią itin aukštos temperatūros cheminio nusodinimo garais (CVD) technologiją. Šiuo metodu pagamintas TaC dengtas sėklų kristalų laikiklis pasižymi puikiu atsparumu korozijai, itin meient thermal conductivity.

3. Temperatūros valdymas

Semicorex TaC padengtas sėklų kristalų laikiklis naudoja gamybos technologijas, kurios yra pramonės priešakyje. Tiksliai valdyti šiluminio lauko temperatūrą galima meistriškai optimizuojant jų formą, matmenis ir dangos storį. Tai žymiai sumažina defektų dažnį ir efektyviai skatina vienodą kristalų augimą.