Imtuvo diskas

„Semicorex Susceptor Disc“ yra nepakeičiamas metalo organinio cheminio nusodinimo garais (MOCVD) įrankis, specialiai sukurtas palaikyti ir šildyti puslaidininkines plokšteles kritinio epitaksinio sluoksnio nusodinimo proceso metu. Susceptor Disc yra naudingas puslaidininkinių įtaisų gamyboje, kur svarbiausias yra tikslus sluoksnio augimas. „Semicorex“ įsipareigojimas siekti rinkoje pirmaujančios kokybės, kartu su konkurenciniais fiskaliniais sumetimais, sustiprina mūsų norą užmegzti partnerystes, kad būtų įvykdytos jūsų puslaidininkinių plokštelių transportavimo sąlygos.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Sukurtas iš labai gryno grafito ir padengtas silicio karbido (SiC) sluoksniu, naudojant MOCVD techniką, Semicorex Susceptor Disc sujungia išskirtines šilumines savybes ir nepaprastą cheminį stabilumą. Silicio karbido danga užtikrina puikų atsparumą aukštai temperatūrai ir korozinėms sąlygoms, o tai labai svarbu norint išlaikyti susceptor disko vientisumą sudėtingose aplinkose.

Be to, susceptor disko SiC danga padidina jo šilumos laidumą, o tai leidžia greitai ir tolygiai paskirstyti šilumą, kuri yra būtina nuosekliam epitaksiniam augimui. Jis efektyviai sugeria ir spinduliuoja šilumą, užtikrindamas stabilią, vienodą temperatūrą, būtiną plonoms plėvelėms nusodinti. Šis vienodumas yra gyvybiškai svarbus norint pasiekti aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius, kurie yra esminiai pažangių puslaidininkinių įtaisų funkcionalumui ir veikimui.

Susceptor Disc dizainas taip pat sprendžia šiluminio plėtimosi iššūkį. Minimalus jo šiluminio plėtimosi koeficientas užtikrina tvirtą sukibimą su epitaksiniais sluoksniais ir sumažina įtrūkimų dėl terminio ciklo riziką. Ši funkcija, kartu su aukšta Susceptor Disc lydymosi temperatūra ir puikiu atsparumu oksidacijai, leidžia patikimai veikti ekstremaliomis sąlygomis.

Su šiomis pažangiomis savybėmis Susceptor Disc ne tik atitinka, bet ir viršija griežtus šiuolaikinių MOCVD taikomųjų programų reikalavimus, todėl yra patikimas, didelio našumo sprendimas, padidinantis bendrą epitaksinio augimo proceso efektyvumą ir našumą.