Silicio plokštelių laikiklis

„Semicorex“ tiekia puslaidininkinę keramiką jūsų OĮG pusgamybos įrankiams ir plokštelių tvarkymo komponentams, daugiausia dėmesio skiriant silicio karbido sluoksniams puslaidininkių pramonėje. Jau daugelį metų esame Silicon Wafer Carrier gamintojai ir tiekėjai. Mūsų Silicon Wafer Carrier turi gerą kainos pranašumą ir apima daugumą Europos ir Amerikos rinkų. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Puslaidininkių nusodinimo procesuose naudojamas lakiųjų pirmtakų dujų, plazmos ir aukštos temperatūros derinys aukštos kokybės plonoms plėvelėms sluoksniuoti ant plokštelių. Nusodinimo kameroms ir plokštelių tvarkymo įrankiams reikia patvarių keraminių komponentų, kad jie atlaikytų šias sudėtingas aplinkas.
Semicorex Silicon Wafer Carrier yra didelio grynumo silicio karbidas, pasižymintis aukštomis atsparumo korozijai ir karščiui savybėmis bei puikiu šilumos laidumu.

Silicio plokštelių laikiklio parametrai

Techninės savybės
Rodyklė	Vienetas	Vertė
Medžiagos pavadinimas		Reakcinis sukepintas silicio karbidas	Beslėgis sukepintas silicio karbidas	Rekristalizuotas silicio karbidas
Sudėtis		RBSiC	SSiC	R-SiC
Tūrinis tankis	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Lankstumo stiprumas	MPa (kpsi)	338 (49)	380 (55)	80–90 (20 °C) 90–100 (1400 °C)
Suspaudimo stiprumas	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
Kietumas	Mygtukas	2700	2800	/
Breaking Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Šilumos laidumas	W/m.k	95	120	23
Šiluminio plėtimosi koeficientas	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Specifinė šiluma	Džaulis/g 0k	0.8	0.67	/
Maksimali oro temperatūra	℃	1200	1500	1600
Elastinis modulis	Gpa	360	410	240

Skirtumas tarp SSiC ir RBSiC:

1. Sukepinimo procesas skiriasi. RBSiC turi prasiskverbti laisvą Si į silicio karbidą žemoje temperatūroje, SSiC susidaro natūraliai susitraukiant 2100 laipsnių temperatūroje.

2. SSiC turi lygesnį paviršių, didesnį tankį ir didesnį stiprumą, kai kuriems sandarinimams, kuriems taikomi griežtesni paviršiaus reikalavimai, SSiC bus geresnis.

3. Skirtingas naudojimo laikas esant skirtingam PH ir temperatūrai, SSiC yra ilgesnis nei RBSiC

Silicon Wafer Carrier savybės

Didelio grynumo SiC padengtas grafitas
Aukščiausias atsparumas karščiui ir šiluminis vienodumas
Smulkiu SiC kristalu padengtas lygiam paviršiui
Didelis atsparumas cheminiam valymui
Medžiaga sukurta taip, kad neatsirastų įtrūkimų ir delaminacijos.

Galimos silicio karbido keramikos formos:

● Keraminis strypas / keraminis kaištis / keraminis stūmoklis

● Keraminis vamzdis / keraminė įvorė / keraminė mova

● Keraminis žiedas / keraminė poveržlė / keraminė tarpinė

● Keraminis diskas

● Keraminė plokštė / keraminis blokas

● Keraminis rutulys

● Keraminis stūmoklis

● Keraminis antgalis

● Keraminis tiglis

● Kitos pagal užsakymą pagamintos keraminės dalys