Silicio karbido ICP ėsdinimo plokštė

Silicio karbido ICP ėsdinimo plokštėyra kompetentingas teikti stabilią atramą ir tikslią plokštelių padėtį ėsdinimo operacijose, efektyviai užkertant kelią ėsdinimo tikslumo sumažėjimui dėl vibracijos ar poslinkio.

Silicio karbido ICP ėsdinimo plokštė turi šilumos valdymo galimybes. Puikus šilumos laidumasSIC keramikasuteikia silicio karbido ICP ėsdinimo plokštei galimybę greitai išsklaidyti šilumą, o tai padeda išvengti vietinio ruošinio perkaitimo ir užtikrina ėsdinimo temperatūros vienodumą, taip pagerindama ėsdinimo kokybę. SiC keramika turi mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, todėl silicio karbido ICP ėsdinimo plokštelė gali išlaikyti gerą matmenų stabilumą ir sumažinti ruošinio poslinkį arba deformaciją, kurią sukelia šiluminis plėtimasis.

Remdamasi savo puikiomis kietumo ir stiprumo savybėmis, silicio karbido ICP ėsdinimo plokštė rodo gebėjimą toleruoti mechaninį įtempį ir plazmos poveikį, patiriamą ėsdinimo proceso metu, su minimalia deformacija ar pažeidimu. Šis gebėjimas efektyviai pagerina puslaidininkinių įtaisų išeigą ir gamybos efektyvumą.

ICP veikimo aplinka reikalauja puslaidininkių lygio švaros. „Semicorex“ silicio karbido ICP ėsdinimo plokštė gali visiškai atitikti šį reikalavimą, užtikrindama išskirtinį atsparumą cheminėms dujoms (tokioms kaip chloras ir fluoras) ir ICP ėsdinimo aplinkos plazmai. Ši svarbi savybė išlaiko proceso aplinką švarią, nes sumažina ėsdinimo metu išsiskiriančių teršalų kiekį.

„Semicorex“ teikia pirmenybę vartotojo patogumui, siūlydama pritaikytus silicio karbido ICP ėsdinimo plokštės dizainus, kurie sklandžiai integruojasi su esamomis ICP ėsdinimo sistemomis ir yra suderinami su įvairiomis konfigūracijomis. Tai leidžia sklandžiai pereiti, todėl tai yra idealus atnaujinimo sprendimas įrangos gamintojams.