SiC ICP ėsdinimo plokštė

Semicorex SiC ICP ėsdinimo plokštė atitinka pramonės poreikius, siūlydama išskirtinį šilumos laidumą, puikų kietumą ir puikų cheminį stabilumą, todėl tai yra tinkamiausias pasirinkimas pažangiai puslaidininkių gamybai.

Silicio karbidas yra žinomas dėl savo nepaprasto šilumos laidumo, kuris yra esminis puslaidininkių gamybos požymis. Ši savybė leidžia SiC ICP ėsdinimo plokštei efektyviai išsklaidyti ėsdinimo proceso metu susidariusią šilumą, išlaikant optimalią darbinę temperatūrą. Efektyviai valdydama šilumą, SiC ICP ėsdinimo plokštė sumažina perkaitimo riziką, užtikrindama pastovų veikimą ir patikimumą net ir didelės galios įrenginiuose. Šis terminis valdymas yra būtinas norint išlaikyti ėsdinimo proceso vientisumą ir pasiekti aukštos kokybės rezultatus.

Kitas išskirtinis SiC ICP ėsdinimo plokštės bruožas yra puikus kietumas ir atsparumas dilimui. Silicio karbidas, kaip viena iš kiečiausių prieinamų medžiagų, pasižymi išskirtiniu atsparumu dilimui ir mechaniniam nusidėvėjimui. Ši charakteristika ypač vertinga plazminio ėsdinimo aplinkoje, kur ėsdinimo plokštė yra veikiama agresyvių cheminių ir fizinių sąlygų. SiC ICP ėsdinimo plokštės ilgaamžiškumas reiškia ilgesnį tarnavimo laiką, trumpesnę prastovą ir mažesnes priežiūros išlaidas, todėl tai yra ekonomiškas sprendimas didelės apimties gamybai.

Be šiluminių ir mechaninių savybių, SiC ICP ėsdinimo plokštė pasižymi puikiu cheminiu stabilumu. Silicio karbidas yra labai atsparus korozijai ir cheminiam poveikiui, todėl užtikrina, kad jis išlaikys savo struktūrinį vientisumą ir veikimą net ir atšiaurioje cheminėje aplinkoje. Šis atsparumas cheminiam skilimui yra labai svarbus norint išlaikyti ėsdinimo proceso tikslumą ir tikslumą, nes bet koks ėsdinimo plokštės vientisumo pažeidimas gali sukelti gaminamų puslaidininkinių įtaisų defektus.