SiC pabaigos efektorius

„Semicorex“ yra didelio masto silicio karbidu padengtų grafito susceptorių gamintojas ir tiekėjas Kinijoje. Mes orientuojamės į puslaidininkių pramonę, pvz., silicio karbido sluoksnius ir epitaksinius puslaidininkius. Mūsų SiC End Effector turi gerą kainos pranašumą ir apima daugelį Europos ir Amerikos rinkų. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

„Semicorex SiC End Effector“ yra pagamintas iš silicio karbido dangos (SiC) grafito, danga padengiama CVD metodu tam tikroms didelio tankio grafito rūšims, todėl gali veikti aukštos temperatūros krosnyje, kurios temperatūra viršija 3000 °C inertinėje atmosferoje, 2200°C vakuume.

Mūsų SiC End Effector sukurtas taip, kad būtų pasiektas geriausias laminarinio dujų srauto modelis, užtikrinantis šiluminio profilio tolygumą. Tai padeda išvengti bet kokio užteršimo ar priemaišų sklaidos ir užtikrina aukštos kokybės epitaksinį augimą ant plokštelės lusto.

Susisiekite su mumis šiandien ir sužinokite daugiau apie mūsų SiC End Effector.

SiC End Effector parametrai

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J kg-1 K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300