SiC padengtas atraminis žiedas

Semicorex SiC padengtas atraminis žiedas atlieka svarbų vaidmenį užtikrinant epitaksinių sluoksnių, nusodintų ant puslaidininkinių plokštelių, tikslumą ir kokybę.

SiC padengtas atraminis žiedas sudaro tvirtą apsauginį sluoksnį, kuris atlaiko ekstremalias temperatūras ir korozinę aplinką, būdingą epitaksiniams augimo reaktoriams. Puikios SiC šiluminės savybės užtikrina tolygų temperatūros pasiskirstymą plokštelės paviršiuje, sumažindamos šiluminius gradientus ir įtempius. Šis stabilumas yra labai svarbus norint gauti aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius su minimaliais defektais.

SiC padengtas atraminis žiedas atsparus cheminiams reaktyviųjų dujų, naudojamų epitaksiniame procese, atakoms, prailgina atraminio žiedo eksploatavimo laiką ir išlaiko proceso vientisumą. Šis atsparumas sumažina užteršimo riziką, prisideda prie didesnio grynumo ir geresnio puslaidininkinių įtaisų veikimo.

SiC padengtas atraminis žiedas išlaiko tikslią plokštelės padėtį, kuri yra labai svarbi vienodam sluoksnio nusodinimui. SiC padengto atraminio žiedo struktūrinis vientisumas aukštos temperatūros sąlygomis užtikrina pastovų veikimą per kelis apdorojimo ciklus.

Semicorex SiC padengtas atraminis žiedas yra pagrindinis komponentas tobulinant puslaidininkių technologiją, užtikrinantis aukštos kokybės įrenginių, pasižyminčių optimaliu našumu ir patikimumu, gamybą.