SiC padengti epitaksiniai receptoriai

Semicorex SiC padengti epitaksiniai susceptoriai yra pagrindiniai komponentai, naudojami puslaidininkių epitaksinio augimo procese, siekiant stabiliai palaikyti ir pritvirtinti puslaidininkines plokšteles. Išnaudodama brandžius gamybos pajėgumus ir pažangiausias gamybos technologijas, Semicorex yra įsipareigojusi tiekti rinkoje pirmaujančios kokybės ir konkurencingos kainos SiC dengtus epitaksinius susceptorius mūsų vertinamiems klientams.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Puslaidininkissubstrataiepitaksinio nusodinimo metu negalima dėti tiesiai ant MOCVD arba CVD įrangos pagrindo dėl daugelio kritinių veiksnių, įskaitant dujų srauto kryptį (horizontalią ir vertikalią), temperatūrą, slėgį, substrato fiksaciją ir užterštumą kietosiomis dalelėmis, poveikio. Dėl šios priežasties epitaksiniai susceptoriai turi būti išdėstyti reakcijos kameros centre MOCVD / CVD sistemose, kad būtų palaikomi ir pritvirtinami puslaidininkiniai substratai, taip užkertant kelią epitaksinio augimo kokybės pablogėjimui, kurį sukelia vibracija arba padėties poslinkis.

Didelio grynumo grafitas naudojamas kaip Semicorex matricinė medžiagaSiC padengti epitaksiniai susceptoriai, kurių paviršius padengtas silicio karbido danga, naudojant pažangias CVD technologijas. Semicorex SiC padengti epitaksiniai susceptoriai yra nepakeičiami komponentai epitaksinio sluoksnio formavimo procese. Pagrindinis jų vaidmuo yra sukurti stabilią ir kontroliuojamą veikimo aplinką epitaksiniams sluoksniams ant puslaidininkinių substratų, o tai gali užtikrinti plokštelės paviršiaus kokybės nuoseklumą.

Semicorex SiC dengtų epitaksinių susceptorių charakteristikos

1. Išskirtinis atsparumas aukštai temperatūrai, kad atlaikytų 1600 ℃ darbo sąlygas.

2. Didelis šilumos laidumas, užtikrinantis greitą šilumos perdavimą, kad būtų išlaikytas vienodas temperatūros pasiskirstymas ant puslaidininkinių pagrindų.

3. Stiprus atsparumas cheminei korozijai, kad būtų atsparus cheminiam skilimui ir korozijai, išvengiant substratų ir epitaksinių sluoksnių užteršimo proceso metu.

4. Puikus atsparumas šiluminiam smūgiui, kad būtų išvengta dangos įtrūkimų ir delaminacijos.

5. Išskirtinis paviršiaus lygumas, tvirtai priglundantis prie pagrindo, sumažinantis tarpus ir defektus.

6. Ilgesnis tarnavimo laikas, sumažinant laiką ir ekonominius nuostolius, kuriuos sukelia dalių keitimas ir priežiūra.

Semicorex SiC dengtų epitaksinių susceptorių taikymas

Turėdami daug puikių pranašumų, Semicorex SiC padengti epitaksiniai susceptoriai atlieka pagrindinį vaidmenį palengvinant vienodą ir kontroliuojamą epitaksinių plonų plėvelių augimą ir yra plačiai taikomi puslaidininkių epitaksinio augimo procese.

1.GaN epitaksinis augimas

2.SiC epitaksinis augimas

3.Si epitaksinis augimas