Namai > Produktai > Padengtas silicio karbidu > RTP vežėjas > RTP nešiklis MOCVD epitaksiniam augimui
RTP nešiklis MOCVD epitaksiniam augimui

RTP nešiklis MOCVD epitaksiniam augimui

„Semicorex RTP Carrier“, skirtas MOCVD epitaksiniam augimui, idealiai tinka puslaidininkinių plokštelių apdorojimui, įskaitant epitaksinį augimą ir plokštelių apdorojimą. Anglies grafito susceptoriai ir kvarciniai tigliai yra apdorojami MOCVD būdu ant grafito, keramikos ir kt. paviršiaus. Mūsų gaminiai turi gerą kainos pranašumą ir apima daugelį Europos ir Amerikos rinkų. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Semicorex tiekia RTP nešiklį MOCVD Epitaxial Growth, naudojamą plokštelėms palaikyti, kuris yra tikrai stabilus RTA, RTP ar stiprių cheminių medžiagų valymui. Proceso šerdyje epitaksiniai susceptoriai pirmiausia yra veikiami nusodinimo aplinkos, todėl jie turi didelį atsparumą karščiui ir korozijai. SiC padengtas nešiklis taip pat pasižymi dideliu šilumos laidumu ir puikiomis šilumos paskirstymo savybėmis.
Mūsų RTP nešiklis, skirtas MOCVD epitaksiniam augimui, sukurtas taip, kad būtų pasiektas geriausias laminarinio dujų srauto modelis, užtikrinantis šiluminio profilio tolygumą. Tai padeda išvengti bet kokio užteršimo ar priemaišų sklaidos ir užtikrina aukštos kokybės epitaksinį augimą ant plokštelės lusto.
Susisiekite su mumis šiandien ir sužinokite daugiau apie mūsų RTP laikiklį, skirtą MOCVD epitaksiniam augimui.


RTP nešiklio parametrai MOCVD epitaksiniam augimui

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos

SiC-CVD savybės

Kristalinė struktūra

FCC β fazė

Tankis

g/cm³

3.21

Kietumas

Vickerso kietumas

2500

Grūdų dydis

μm

2~10

Cheminis grynumas

%

99.99995

Šilumos talpa

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimacijos temperatūra

2700

Feleksualinė jėga

MPa (RT 4 taškai)

415

Youngo modulis

Gpa (4 pt lenkimas, 1300 â)

430

Šiluminis plėtimasis (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Šilumos laidumas

(W/mK)

300


RTP nešiklio savybės MOCVD epitaksiniam augimui

Didelio grynumo SiC padengtas grafitas
Aukščiausias atsparumas karščiui ir šiluminis vienodumas
Smulkiu SiC kristalu padengtas lygiam paviršiui
Didelis atsparumas cheminiam valymui
Medžiaga sukurta taip, kad neatsirastų įtrūkimų ir delaminacijos.





Hot Tags: RTP nešiklis, skirtas MOCVD epitaksiniam augimui, Kinija, gamintojai, tiekėjai, gamykla, pritaikyta, masinė, pažangi, patvari

Susijusi kategorija

Siųsti užklausą

Nedvejodami pateikite savo užklausą žemiau esančioje formoje. Mes jums atsakysime per 24 valandas.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept