- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Pramonės naujienos
GaN vienas kristalas
Puslaidininkių technologija buvo šiuolaikinės civilizacijos pagrindas, iš esmės keičiantis mūsų gyvenimo, darbo ir bendravimo su pasauliu būdus. Tai leido pasiekti precedento neturinčią pažangą įvairiose srityse, įskaitant informacines technologijas, energetiką, telekomunikacijas ir sveikatos prieži......
Skaityti daugiau
SiC keramika: nepakeičiama medžiaga didelio tikslumo komponentams puslaidininkių gamyboje
Puslaidininkių gamyba, šiuolaikinės technologinės pažangos kertinis akmuo, nuolatos siekia mažesnių, greitesnių ir efektyvesnių integrinių grandynų. Šis nenumaldomas siekis skatina vis tikslesnius ir sudėtingesnius gamybos procesus, kai kiekvienas žingsnis labai priklauso nuo didelio našumo, aukštos......
Skaityti daugiau
3C-SiC heteroepitaksija: apžvalga
3C-SiC, reikšmingo silicio karbido politipo, sukūrimas atspindi nuolatinę puslaidininkinių medžiagų mokslo pažangą. Devintajame dešimtmetyje Nishino ir kt. pirmą kartą buvo sukurta 4 μm storio 3C-SiC plėvelė ant silicio pagrindo, naudojant cheminį nusodinimą iš garų (CVD)[1], padėjus 3C-SiC plonaslu......
Skaityti daugiau
