Horizontali SiC vaflių valtis

Ypatinga „Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat“ savybė yra jos kruopščiai suprojektuota plyšių architektūra, specialiai pritaikyta saugiai laikyti plokšteles įvairiuose aukštos temperatūros procesuose. Šis tikslus plokštelės apribojimas atlieka keletą svarbių funkcijų:

Vaflių judėjimo pašalinimas:Apsaugodama nuo nepageidaujamo slydimo ar pasislinkimo, horizontali SiC Wafer Boat užtikrina nuolatinį proceso dujų ir temperatūros profilių poveikį, taip prisidedant prie labai vienodo plokštelių apdorojimo ir sumažinant defektų riziką.

Patobulintas proceso vienodumas:Nuoseklus plokštelės išdėstymas tiesiogiai lemia puikų vienodumą kritiniuose parametruose, tokiuose kaip sluoksnio storis, dopingo koncentracija ir paviršiaus morfologija. Šis tikslumas ypač svarbus tokiose srityse kaip cheminis nusodinimas iš garų (CVD) ir difuzija, kur net nedideli svyravimai gali reikšmingai paveikti įrenginio veikimą.

Sumažėjusi plokštelių žala:Saugus Horizontal SiC Wafer Boat laikymas sumažina plokštelės įskilimo, lūžimo ar subraižymo galimybę tvarkant ir transportuojant, o tai būtina norint išlaikyti didelį derlių ir sumažinti gamybos sąnaudas.

Be tikslaus dizaino, „Horizontal SiC Wafer Boat“ siūlo įtikinamą medžiagų savybių derinį, todėl jis idealiai tinka puslaidininkių ir fotovoltinių elementų gamybai:

Atsparumas ekstremalioms temperatūroms: Horizontalus SiC Wafer Boat pasižymi išskirtiniu tvirtumu ir stabilumu aukštoje temperatūroje, todėl jis gali atlaikyti ekstremalias šilumines sąlygas, atsirandančias vykstant tokiems procesams kaip kristalų augimas, atkaitinimas ir greitas terminis apdorojimas (RTP) be deformacijos ar degradacijos.

Itin didelio grynumo užteršimo kontrolei:Didelio grynumo SiC naudojimas užtikrina minimalų išmetamųjų dujų arba kietųjų dalelių susidarymą, apsaugo jautrių plokštelių paviršių vientisumą ir apsaugo nuo užteršimo, galinčio pakenkti įrenginio veikimui.

Išskirtinis cheminis stabilumas:Dėl būdingo SiC inertiškumo „Horizontal SiC Wafer Boat“ yra labai atsparus korozinių dujų ir cheminių medžiagų, dažniausiai naudojamų puslaidininkių ir fotovoltinių elementų gamyboje, poveikiui. Šis tvirtas cheminis stabilumas užtikrina ilgą eksploatavimo trukmę ir sumažina kryžminio užteršimo tarp proceso pakopų riziką.

Horizontalios SiC Wafer Boat universalumas ir našumo pranašumai paskatino jį plačiai pritaikyti įvairiuose svarbiuose puslaidininkių ir fotovoltinių gaminių gamybos procesuose:

Epitaksinis augimas:Tiksli plokštelių padėtis ir temperatūros vienodumas yra labai svarbūs norint sukurti aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius pažangiuose puslaidininkiniuose įrenginiuose, todėl horizontali SiC plokštelė yra svarbi šio proceso priemonė.

Difuzija ir jonų implantacija:Tiksli dopingo kontrolė yra svarbiausia nustatant puslaidininkinių įtaisų elektrines charakteristikas. Horizontalus SiC Wafer Boat užtikrina tikslų plokštelių padėties nustatymą šių procesų metu, todėl pagerėja vienodumas ir įrenginio veikimas.

Saulės elementų gamyba:Dėl aukštos temperatūros galimybių ir cheminio atsparumo Horizontal SiC Wafer Boat idealiai tinka apdoroti silicio plokšteles, naudojamas fotovoltiniuose elementuose, taip prisidedant prie saulės energijos sistemų efektyvumo ir ilgaamžiškumo didinimo.