GaN epitaksijos nešiklis

Semicorex GaN Epitaxy Carrier puikiai tinka saugiai gabenti plokšteles krosnyje, o yra sukurtas plokštelių epitaksiniams procesams. GaN Epitaxy Carrier yra labai svarbus norint sukurti aukštos kokybės, atkuriamas plonas plėveles ir epitaksinius sluoksnius, reikalingus pažangiems elektroniniams ir optoelektroniniams prietaisams gaminti.

„GaN Epitaxy Carrier“ grafito substratas yra patobulintas naujausia cheminio nusodinimo garais (CVD) silicio karbido (SiC) danga. Šis SiC sluoksnis yra kruopščiai padengiamas cheminiu garų nusodinimu, užtikrinant tvirtą apsaugą nuo cheminių reakcijų ir susidėvėjimo epitaksijos proceso metu. Be to, „GaN Epitaxy Carrier“ SiC danga pagerina nešiklio šilumines savybes, palengvindama efektyvų ir vienodą plokštelių kaitinimą. Toks vienodas kaitinimas yra gyvybiškai svarbus norint sukurti nuoseklius ir aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius ant puslaidininkinių plokštelių.

„Semicorex GaN Epitaxy Carrier“, pritaikytas įvairiems puslaidininkinių plokštelių dydžiams, yra universalus sprendimas įvairiems gamybos poreikiams patenkinti. Nesvarbu, ar reikalingi konkretūs dydžiai, formos ar dangos storis, mūsų komanda bendradarbiauja su klientais, kad sukurtų sprendimą, kuris atitiktų jų tikslias specifikacijas ir optimizuotų jų unikalių pritaikymų našumą.