Oforto žiedas

Iš CVD SiC pagamintas ėsdinimo žiedas yra esminis puslaidininkių gamybos proceso komponentas, užtikrinantis išskirtinį našumą plazminio ėsdinimo aplinkoje. Dėl savo puikaus kietumo, cheminio atsparumo, terminio stabilumo ir didelio grynumo CVD SiC užtikrina, kad ėsdinimo procesas būtų tikslus, efektyvus ir patikimas. Pasirinkę Semicorex CVD SiC ėsdinimo žiedus, puslaidininkių gamintojai gali padidinti savo įrangos ilgaamžiškumą, sumažinti prastovų laiką ir pagerinti bendrą gaminių kokybę.*

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

„Semicorex“ ėsdinimo žiedas yra svarbus puslaidininkių gamybos įrangos komponentas, ypač plazminio ėsdinimo sistemose. Pagaminta iš cheminio garų nusodinimo silicio karbido (CVD SiC), šis komponentas pasižymi puikiu našumu labai reiklioje plazminėje aplinkoje, todėl tai yra nepakeičiamas pasirinkimas tikslaus ėsdinimo procesams puslaidininkių pramonėje.

Odinimo procesui, pagrindiniam puslaidininkinių įtaisų kūrimo žingsniui, reikalinga įranga, kuri gali atlaikyti atšiaurią plazmos aplinką nepablogindama. Šiame procese lemiamą vaidmenį atlieka ėsdinimo žiedas, esantis kaip kameros dalis, kurioje plazma naudojama raštams išgraviruoti ant silicio plokštelių.

Odinimo žiedas veikia kaip struktūrinis ir apsauginis barjeras, užtikrinantis, kad plazma būtų sulaikoma ir nukreipiama tiksliai ten, kur reikia ėsdinimo proceso metu. Atsižvelgiant į ekstremalias sąlygas plazmos kamerose, pvz., aukštą temperatūrą, ėsdinančias dujas ir abrazyvinę plazmą, labai svarbu, kad ėsdinimo žiedas būtų pagamintas iš medžiagų, kurios pasižymi išskirtiniu atsparumu dilimui ir korozijai. Čia CVD SiC (cheminis garų nusodinimas silicio karbidas) įrodo savo vertę kaip geriausias pasirinkimas gaminant ėsdinimo žiedus.

CVD SiC yra pažangi keraminė medžiaga, žinoma dėl savo išskirtinių mechaninių, cheminių ir šiluminių savybių. Dėl šių savybių ji yra ideali medžiaga, skirta naudoti puslaidininkių gamybos įrangoje, ypač ėsdinimo procese, kur našumo reikalavimai yra dideli.

Didelis kietumas ir atsparumas dilimui:

CVD SiC yra viena iš kiečiausių prieinamų medžiagų, antra po deimantų. Šis ypatingas kietumas užtikrina puikų atsparumą dilimui, todėl jis gali atlaikyti atšiaurią, abrazyvinę plazminio ėsdinimo aplinką. ėsdinimo žiedas, veikiamas nuolatinio jonų bombardavimo proceso metu, gali išlaikyti savo struktūrinį vientisumą ilgesnį laiką, palyginti su kitomis medžiagomis, todėl sumažėja keitimų dažnis.

Cheminis inertiškumas:

Vienas iš pagrindinių ėsdinimo proceso problemų yra korozinis plazmos dujų, tokių kaip fluoras ir chloras, pobūdis. Šios dujos gali smarkiai sugadinti medžiagas, kurios nėra chemiškai atsparios. Tačiau CVD SiC pasižymi išskirtiniu cheminiu inertiškumu, ypač plazmoje, kurioje yra korozinių dujų, taip užkertant kelią puslaidininkinių plokštelių užteršimui ir užtikrinamas ėsdinimo proceso grynumas.

Terminis stabilumas:

Puslaidininkių ėsdinimo procesai dažnai vyksta aukštesnėje temperatūroje, o tai gali sukelti medžiagų šiluminį įtempį. CVD SiC pasižymi puikiu šiluminiu stabilumu ir mažu šiluminio plėtimosi koeficientu, leidžiančiu išlaikyti formą ir struktūrinį vientisumą net esant aukštai temperatūrai. Tai sumažina šiluminės deformacijos riziką ir užtikrina nuoseklų ėsdinimo tikslumą viso gamybos ciklo metu.

Didelis grynumas:

Puslaidininkių gamyboje naudojamų medžiagų grynumas yra labai svarbus, nes bet koks užterštumas gali neigiamai paveikti puslaidininkinių įtaisų veikimą ir našumą. CVD SiC yra labai gryna medžiaga, kuri sumažina priemaišų patekimo į gamybos procesą riziką. Tai prisideda prie didesnio derlingumo ir geresnės bendros puslaidininkių gamybos kokybės.

Iš CVD SiC pagamintas ėsdinimo žiedas pirmiausia naudojamas plazminio ėsdinimo sistemose, kurios naudojamos sudėtingiems raštams išgraviruoti ant puslaidininkinių plokštelių. Šie modeliai yra būtini kuriant mikroskopines grandines ir komponentus, esančius šiuolaikiniuose puslaidininkiniuose įrenginiuose, įskaitant procesorius, atminties lustus ir kitą mikroelektroniką.