Epi-SiC receptorius

Semicorex Epi-SiC Susceptor yra atsparumo aukštai temperatūrai, cheminio inertiškumo ir aukščiausios šiluminės difuzijos santaka, jis yra atsparumo ir efektyvumo pavyzdys intensyviomis sąlygomis, kurios sinonimiškos epitaksinio augimo pastangoms. SiC dangos panaudojimas žymiai padidina Epi-SiC susceptoriaus šilumines savybes. Šis patobulinimas palengvina vienodą šiluminį pasiskirstymą, būtiną plokštelių kaitinimui, o tai yra esminis dalykas norint nusodinti nuoseklius, aukštos kokybės epitaksinius sluoksnius puslaidininkinėse plokštelėse.

Epi-SiC Susceptor, sukurtas taip, kad atitiktų griežtus plokštelių epitaksinių procesų reikalavimus, užtikrina sklandų plokštelių transportavimą krosnies aplinkoje. Jo tvirta konstrukcija apsaugo nuo plokštelių pasislinkimo ar kompromiso ir taip sumažina pažeidimų riziką kritiniais epitaksinio sluoksnio vystymosi etapais. Be to, Epi-SiC Susceptor veikia kaip apsauginis barjeras apačioje esančiam grafito substratui, apsaugodamas jį nuo cheminės sąveikos ir dilimo, kurį gali sukelti epitaksiniai procesai.

Tamprios grafito šerdies suliejimas su apsaugine SiC danga ne tik sustiprina Epi-SiC Susceptor veikimo rodiklius, bet ir žymiai pailgina jo tarnavimo laiką. Rezultatas yra investicija, kuri duoda dividendų, nes puslaidininkių gamybos įmonėms sutaupoma nuolatinio veiklos taupymo, todėl Epi-SiC Susceptor yra protingas pasirinkimas tiems, kurie nori optimizuoti savo gamybos operacijas.