> Produktai > Keramika > Silicio karbidas (SiC) > Patvarūs fokusavimo žiedai puslaidininkių apdorojimui

Produktai

Nauji produktai

Patvarūs fokusavimo žiedai puslaidininkių apdorojimui

„Semicorex“ patvarūs fokusavimo žiedai, skirti puslaidininkių apdorojimui, yra sukurti taip, kad atlaikytų ekstremalią plazmos ėsdinimo kamerų, naudojamų puslaidininkių apdorojimui, aplinką. Mūsų fokusavimo žiedai pagaminti iš didelio grynumo grafito, padengto tankia, dilimui atsparia silicio karbido (SiC) danga. SiC danga pasižymi didelėmis atsparumo korozijai ir karščiui savybėmis, taip pat puikiu šilumos laidumu. SiC plonais sluoksniais tepame ant grafito, naudodami cheminio garų nusodinimo (CVD) procesą, kad pagerintume fokusavimo žiedų tarnavimo laiką.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Mūsų patvarūs puslaidininkių apdorojimo fokusavimo žiedai skirti pagerinti ėsdinimo vienodumą aplink plokštelės kraštą arba perimetrą, sumažinant užteršimą ir neplanuotą priežiūrą. Jie yra labai stabilūs greitam terminiam atkaitinimui (RTA), greitam terminiam apdorojimui (RTP) ir atšiauriam cheminiam valymui.

„Semicorex“ daugiausia dėmesio skiria aukštos kokybės, ekonomiškai efektyvių patvarių fokusavimo žiedų, skirtų puslaidininkių apdorojimui, tiekimui, teikiame pirmenybę klientų pasitenkinimui ir siūlome ekonomiškus sprendimus. Tikimės tapti Jūsų ilgalaikiu partneriu, tiekiančiu aukštos kokybės produktus ir išskirtinį klientų aptarnavimą.

Susisiekite su mumis šiandien ir sužinokite daugiau apie mūsų patvarius fokusavimo žiedus puslaidininkių apdorojimui.

Patvarių fokusavimo žiedų parametrai puslaidininkių apdorojimui

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J kg-1 K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300