CVD TAC padengti žiedai

„Semicorex CVD TAC“ padengti žiedai yra tikslūs sukurti komponentai, skirti specialiai kristalų augimo procesui, ypač naudojant kryptinį kietėjimo ir Czochralski (Cz) traukimo sistemas. Šie CVD TAC padengti žiedai veikia kaip srauto kreipiamojo komponentai - dažniausiai vadinami „srauto kreipiamojo žiedais“ arba „dujų įlinkio žiedais“ - ir vaidina svarbų vaidmenį palaikant stabilius dujų srauto modelius ir šiluminę aplinką kristalinės augimo fazės metu.

Pavyzdžiui, atsižvelgiant į silicio karbido vaflių augimą, grafito medžiagos ir anglies-anglies kompozicinės medžiagos šiluminio lauko medžiagose sunku patenkinti sudėtingą atmosferą (SI, SIC₂, Si₂c) procesą 2300 ℃. Trumpas tarnavimo laikas yra ne tik, bet skirtingi dalys keičiamos kiekviena iki dešimties krosnių, o grafito dializė ir glėbis aukštoje temperatūroje gali lengvai sukelti kristalų defektus, tokius kaip anglies intarpai. Siekiant užtikrinti aukštos kokybės ir stabilų puslaidininkių kristalų augimą ir atsižvelgiant į pramoninės gamybos sąnaudas, ant grafito dalių paviršiaus yra paruošti ypač aukšta temperatūrai korozijai atsparios keraminės dangos, o tai pratęsia grafito komponentų tarnavimo laiką, slopina prielaidų migraciją ir pagerins kristalų grynumą. Epitaksiniame silicio karbido augime, silicio karbidui padengti grafito jautruliai paprastai naudojami pavieniams kristaliniams substratams nešiotis ir kaitinti. Jų tarnavimo laiką vis dar reikia pagerinti, o silicio karbido nuosėdas ant sąsajos reikia reguliariai valyti. Priešingai,Tantalo karbido (TAC) dangosyra atsparesnės ėsdinančiai atmosferai ir aukštai temperatūrai, ir yra pagrindinė tokių SiC kristalų technologija, kad „augtų, augtų storas ir gerai auga“.

TAC turi lydymosi tašką iki 3880 ℃ ir turi didelį mechaninį stiprumą, kietumą ir šiluminio smūgio atsparumą; Jis turi gerą cheminį inertiškumą ir šiluminį stabilumą amoniakui, vandeniliui ir silicio turinčioms garams aukštoje temperatūroje. Grafito (anglies-anglies kompozicinės) medžiagos, padengtos TAC dangomis, labai tikėtina, kad pakeis tradicinį didelio grynumo grafito, PBN dangos, SiC dengtos dalys ir kt. Be to, aviacijos ir kosmoso srityje TAC turi didelę potencialą naudoti kaip aukštos temperatūros anti-oksidacijos ir anti-esmlimation danties danga, o plačias taikymo perspektyvas. Vis dėlto vis dar yra daug iššūkių, kaip paruošti tankią, vienodą ir neskonio TAC dangą grafito paviršiuje ir skatinti pramoninę masinę gamybą. Šiame procese ištirti dangos apsaugos mechanizmą, diegti gamybos procesą ir konkuruoti su aukščiausiu užsienio lygiu yra labai svarbūs trečiosios kartos puslaidininkių kristalų augimui ir epitaksijai.

SIC PVT procesas, naudojant įprasto grafito rinkinį irCVD TAC padengtasŽiedai buvo modeliuojami, kad būtų galima suprasti spinduliuotės poveikį temperatūros pasiskirstymui, o tai gali sukelti augimo greičio ir luklų formos pokyčius. Parodyta, kad CVD TAC padengti žiedai, palyginti su esamu grafitu, pasieks vienodesnę temperatūrą. Be to, puikus TAC dangos šiluminis ir cheminis stabilumas apsaugo nuo anglies reakcijos su Si garais. Dėl to TAC danga daro C/SI pasiskirstymą radialine kryptimi vienodesne.