8 colių „Epi“ apatinis žiedas

„Semicorex 8“ colių „Epi“ apatinis žiedas yra svarbi konstrukcinė dalis, naudojama puslaidininkių epitaksijos įrangai ir specialiai suprojektuota kaip apatinis viso suvokimo agregato žiedas. Apatinis žiedas palaiko vaflių nešiklio sistemą epitaksinio vaflio augimo metu, kartu prisidedant mechaniso stabilumu, šiluminiu vienodumu ir proceso vientisumu, reikalingu norint gaminti aukšto našumo puslaidininkių vaflius. Apatinis žiedas pagamintas iš aukšto grynumo grafito, kuris buvo padengtas paviršiaus lygiu, tankiu ir vienodu silicio karbido (SIC) danga. Dėl to tai yra labai patikima alternatyva pažengusiems epitaksiniams reaktoriams ekstremaliomis šiluminėmis ir cheminėmis sąlygomis.

Grafitas yra tinkamiausia apatinio žiedo bazinė medžiaga dėl jo lengvo svorio, puikaus šilumos laidininko ir nekompleksinės konstrukcijos, turinčios tangentinių ir vertikalių matmenų stabilumą aukštoje temperatūroje. Šios savybės leidžia apatinį žiedą važiuoti termiškai greičiu ir todėl demonstruoja nuolatinį mechaninio veikimo tęstinumą tarnaujant. SiC išorinė danga taikoma naudojant cheminio garų nusėdimo (CVD) procesą, kad būtų galima pagaminti tankų ir be defektų išorinį sluoksnį. Be to, CVD procesas suteikia procesą, kuris riboja susidėvėjimą ir dalelių susidarymą, atsargiai tvarkant SIC dangą, kad netrukdytų pagrindiniam substrato grafitui. Kaip SiC ir grafito sujungimas, SiC paviršiaus sluoksnis yra chemiškai inertiškas, kad būtų galima ėsdinant proceso dujų veikimą, ypač naudojant vandenilio ir chlorintus šalutinius produktus, ir turi ir puikų kietumą, ir atsparumą drabužiams - užtikrinant kuo daugiau palaikymo vaflių nešiklio sistemai.

8 colių EPI apatinis žiedas yra suderinamas su daugumos horizontaliais ar vertikaliais MOCVD ir CVD epitaksiniais įrankiais, kurie nusodina silicio, silicio karbido ar junginių puslaidininkių. Optimizuota geometrija yra sukurta taip, kad tilptų vaflių laikiklio sistemos suvokėjas ir viršutiniai komponentai, tiksliai išlyginimas, universalus šilumos pasiskirstymas ir stabilumas vaflių sukimosi metu. Puikus žiedo lygumas ir koncentracija priskiria importuojančio epitaksinio sluoksnio vienodumą ir mažinant vaflinio paviršiaus defektus.

Vienas iš šio SiC dengto grafito žiedo pranašumų yra mažas dalelių emisijos elgesys, kuris mažina vaflio užteršimą perdirbant. SIC sluoksnis sumažina dujinį ir anglies dalelių susidarymą, palyginti su ne padengtais grafito komponentais, kad būtų pasiekta švarios kameros aplinka ir didesnis derliaus greitis. Be to, puikus kompozicinės struktūros atsparumas šiluminiam smūgiui prailgina produkto tarnavimo laiką, sumažina puslaidininkių gamintojų pakeitimo ir mažesnes eksploatavimo sąnaudas.

Visi apatiniai žiedai yra tikrinami matmenimis, patikrinta paviršiaus kokybė ir išbandytas šiluminis ciklas, siekiant užtikrinti, kad jie patenkintų reikšmingus puslaidininkių gamybos aplinkos aplinkos poreikius. Be to, SiC paviršiaus dangos storis yra daugiau nei tinkamas mechaniniam ir šiluminio potencialo suderinamumui; SiC dangos reguliariai tiriamos dėl sukibimo faktorių, užtikrinančių, kad nulupimas ar plyšimas neatsiranda, kai apatiniai žiedai yra veikiami aukštos temperatūros nusėdimo. Plokščio dugno žiedą galima pritaikyti su keliais nedideliais matmenimis ir dengimo ypatybių variacijomis, skirtoms atskirų reaktorių projektavimo ir proceso pritaikymui.

„Semicorex 8“ colių EPI apatinis žiedas iš „Semicorex“ siūlo puikų stiprumo, cheminio atsparumo ir palankių epitaksinių augimo sistemų šiluminių charakteristikų pusiausvyrą. Dėl žinomų SIC dengto grafito pranašumų šis apatinis žiedas suteikia aukštesnę vaflių kokybę, mažesnę užteršimo tikimybę ir ilgesnį aptarnavimo tarnavimo laiką bet kuriame aukštos temperatūros nusėdimo procese. Šis apatinis žiedas buvo sukurtas naudoti su SI, SIC arba III-V medžiagų epitaksiniu augimu; Siekiama pasiūlyti patikimą, pakartojamą komfortą gaminant reiklią puslaidininkinę medžiagą.