6 colių SiC valtis

Semicorex 6 colių SiC Boat yra pažangus plokštelių laikiklis, sukurtas optimizuoti aukštos temperatūros puslaidininkių apdorojimo našumą ir efektyvumą, ypač skirtas oksidacijai, difuzijai ir kitiems terminiams procesams. Pagamintas iš aukštos kokybės silicio karbido (SiC), šis produktas yra tvirtas sprendimas puslaidininkinių plokštelių laikymui kritinių operacijų aukštoje temperatūroje metu, užtikrinantis puikų terminį stabilumą, puikų atsparumą korozijai ir minimalią užteršimo riziką.

6 colių SiC valtis gaminama naudojant didelio grynumo silicio karbidą (SiC), medžiagą, žinomą dėl savo išskirtinių šiluminių savybių, cheminio atsparumo ir ilgaamžiškumo atšiaurioje aplinkoje. SiC yra plačiai naudojamas puslaidininkių gamyboje dėl aukštos lydymosi temperatūros (apie 2700 °C), todėl idealiai tinka naudoti aukštoje temperatūroje, pavyzdžiui, plokštelių apdorojimui oksidacijos ir difuzijos krosnyse. Valties konstrukcija užtikrina puikų konstrukcijos vientisumą ir vienodą šilumos paskirstymą, o tai yra labai svarbu norint pasiekti nuoseklių puslaidininkių kristalų augimo, oksidacijos ir kitų terminio apdorojimo rezultatų.

Pagrindinės savybės ir privalumai

Aukštas terminis stabilumas

Išskirtinis SiC šilumos laidumas užtikrina, kad 6 colių SiC valtis gali atlaikyti ekstremalias temperatūras, nesikreipdama ar nesugadindama. Ši savybė ypač vertinga oksidacijos ir difuzijos procesų metu, kai norint nuosekliai apdoroti plokšteles, būtina tiksliai kontroliuoti temperatūrą.

Puikus cheminis atsparumas

Silicio karbidui būdingas atsparumas cheminei korozijai, todėl valtis idealiai tinka naudoti aplinkoje, kur dažnai susiduriama su agresyviomis dujomis, tokiomis kaip deguonis, azotas ar kiti reaktyvūs elementai. Laivas išlaiko savo struktūrinį vientisumą ir veikimą aukštos temperatūros, chemiškai reaguojančioje aplinkoje, sumažindamas užteršimo tikimybę.

Patvarumas aukštoje temperatūroje

6 colių SiC valtis sukurta taip, kad veiktų iki 1500 °C temperatūroje, o tai būtina daugeliui aukštos temperatūros puslaidininkių procesų, įskaitant oksidaciją ir difuziją. Ši aukštos temperatūros tolerancija užtikrina ilgą tarnavimo laiką net ir sudėtingose ​​srityse.

Maža užteršimo rizika

Vienas iš svarbiausių puslaidininkių apdorojimo veiksnių yra plokštelės paviršiaus užteršimo sumažinimas. Mažas SiC priemaišų lygis ir nereaguojantis pobūdis užtikrina, kad 6 colių SiC valtis prisideda prie švarios ir kontroliuojamos aplinkos, taip sumažinant nepageidaujamo užteršimo riziką apdorojimo metu.

Vienodas vaflių palaikymas

Valties konstrukcija užtikrina, kad plokštelės būtų tolygiai remiamos, išlaikant optimalų plokštelių išlygiavimą ir užkertant kelią bet kokiam nusvirimui ar nesutapimui apdorojant aukštoje temperatūroje. Ši vienoda parama yra būtina norint užtikrinti nuoseklius rezultatus ir užkirsti kelią plokštelių defektams.

Tinkinimo parinktys

6 colių SiC valtis gali būti pritaikyta pagal konkrečius klientų poreikius, įskaitant pritaikytus dydžius, formas ir konfigūracijas skirtingiems plokštelių tipams. Nesvarbu, ar valtis naudojama oksidacijos, difuzijos ar kitiems šiluminiams procesams, valtis gali būti optimizuota pagal kliento specifinį proceso srautą.

Taikymas puslaidininkių gamyboje

6 colių SiC valtis pirmiausia naudojama aukštos temperatūros šiluminiuose procesuose puslaidininkių gamyboje. Jis ypač efektyvus oksidacijos ir difuzijos krosnyse, kur reikalingas tikslus temperatūros ir atmosferos valdymas sėkmingam plokštelių apdorojimui.

• Oksidacijos procesas: Oksidacijos proceso metu silicio plokštelės yra veikiamos deguonies aukštesnėje temperatūroje, kad ant plokštelės paviršiaus susidarytų plonas silicio dioksido sluoksnis. 6 colių SiC valtis užtikrina, kad plokštelės būtų saugiai ir tolygiai laikomos šio aukštos temperatūros proceso metu, užkertant kelią deformacijai ar nesutapimui ir užtikrinamas vienodas oksido sluoksnio augimas.
• Difuzijos procesas: Difuzijos procese į silicio plokštelę įvedami priedai, siekiant pakeisti jo elektrines savybes. SiC valtis užtikrina stabilų ir patikimą plokštelių atramą šiame kritiniame etape, kai svarbiausia yra aukšta temperatūra ir tikslus difuzijos aplinkos valdymas. Puikus šiluminis stabilumas užtikrina vienodą kaitinimą, o tai labai svarbu norint pasiekti norimą priedo profilį.
• Kiti pritaikymai aukštai temperatūrai: Be oksidacijos ir difuzijos, 6 colių SiC valtis gali būti naudojama kituose aukštos temperatūros procesuose, tokiuose kaip atkaitinimas, nitridavimas ir epitaksinis augimas. Dėl didelio šilumos laidumo ir atsparumo šiluminiam smūgiui jis yra universalus sprendimas įvairiems puslaidininkinių prietaisų gamybos etapams.

Privalumai prieš kitas medžiagas

Palyginti su tradicinėmis medžiagomis, tokiomis kaip kvarcas ar grafitas, silicio karbidas turi didelių pranašumų puslaidininkių gamyboje. Kvarcinės valtys yra jautresnės šiluminiam šokui ir cheminėms reakcijoms, o grafito valtys gali išsiskirti ir užteršti. Kita vertus, SiC valtys išlaiko savo veikimą atšiaurioje aplinkoje be užteršimo, terminio nestabilumo ar gedimo pavojaus. Dėl to 6 colių SiC valtis yra patikimesnis ir efektyvesnis pasirinkimas puslaidininkių apdorojimui aukštoje temperatūroje.

„Semicorex“ 6 colių SiC valtis yra esminis puslaidininkių pramonės komponentas, užtikrinantis būtiną stabilumą, cheminį atsparumą ir šilumines savybes, reikalingas pažangiam plokštelių apdorojimui. Dėl didelio šilumos laidumo, atsparumo cheminei korozijai ir minimalios užteršimo rizikos jis yra idealus pasirinkimas oksidacijos, difuzijos ir kitiems aukštos temperatūros puslaidininkių procesams. Nesvarbu, ar naudojamas moksliniams tyrimams ir plėtrai, ar didelio masto gamyboje, 6 colių SiC valtis užtikrina našumą ir patikimumą, reikalingą aukščiausios kokybės puslaidininkių gamybos rezultatams užtikrinti.