SiN substratai

Semicorex Silicon Nitride SiN substratai yra pažangios keraminės medžiagos, pasižyminčios išskirtinėmis mechaninėmis, elektrinėmis ir šiluminėmis savybėmis. Šie substratai sudaryti iš silicio ir azoto atomų, sujungtų į kristalinę struktūrą, kuri suteikia jiems unikalų stiprumo, ilgaamžiškumo ir šiluminio atsparumo derinį. SiN substratai tapo svarbia medžiaga įvairiose didelio našumo srityse, ypač puslaidininkiniuose įrenginiuose, kur šios savybės padidina integrinių grandynų (IC), jutiklių ir mikroelektromechaninių sistemų (MEMS) patikimumą ir efektyvumą.

Pagrindinės savybės

Didelis stiprumas ir tvirtumas:SiN substratai yra pripažinti dėl geresnio mechaninio stiprumo ir kietumo, palyginti su kitomis keraminėmis medžiagomis. Dėl jų gebėjimo atsispirti įtrūkimams ir išlaikyti konstrukcinį vientisumą ekstremaliomis sąlygomis jie yra labai pageidaujami tais atvejais, kai mechaninis stabilumas yra labai svarbus. Tai ypač svarbu puslaidininkių procesuose, kurie dažnai susiję su didelio įtempimo aplinka ir tiksliu valdymu.

Puikus šilumos laidumas:Šiluminis valdymas yra esminis puslaidininkinio įrenginio veikimo veiksnys. SiN substratai pasižymi puikiu šilumos laidumu, todėl šiluma gali efektyviai išsisklaidyti iš aktyvių elektroninių komponentų sričių. Ši savybė užtikrina optimalų veikimą ir prailgina prietaisų eksploatavimo laiką, nes neleidžia perkaisti, o tai yra dažna veikimo pablogėjimo priežastis.

Cheminis stabilumas ir atsparumas korozijai:Silicio nitridas yra labai atsparus cheminei korozijai, todėl idealiai tinka naudoti atšiaurioje aplinkoje, kur kelia susirūpinimą cheminių medžiagų poveikis arba ekstremalios temperatūros. SiN substratai išlaiko savo struktūrinį vientisumą net veikiami korozinių dujų, rūgščių ir šarmų, todėl užtikrina ilgalaikį patikimumą pramonėje.

Maža dielektrinė konstanta:Vienas iš esminių reikalavimų mikroelektronikos prietaisų substratams yra mažos dielektrinės konstantos vertės. SiN substratai pasižymi mažomis dielektrinėmis konstantomis, kurios sumažina signalo praradimą ir pagerina integrinių grandynų elektrinį našumą. Ši funkcija ypač svarbi aukšto dažnio programose, tokiose kaip 5G ryšio sistemos, kur signalo vientisumas yra itin svarbus.

Atsparumas šiluminiam smūgiui:Silicio nitrido substratai gali atlaikyti greitus temperatūros pokyčius, nepatiriant terminio šoko ar įtrūkimų. Ši savybė yra vertinga naudojant svyruojančią šiluminę aplinką, pavyzdžiui, galios elektronikoje ir aukštos temperatūros jutikliuose, kur dažni staigūs temperatūros poslinkiai.

Semicorex Silicon Nitride SiN substratai siūlo unikalų savybių rinkinį, todėl jie yra būtini puslaidininkių pramonėje ir už jos ribų. Dėl mechaninio stiprumo, šilumos laidumo ir cheminio atsparumo derinio jie yra tinkamiausia medžiaga taikymui, kuris reikalauja didelio patikimumo ir našumo. Nesvarbu, ar tai puslaidininkiniai įrenginiai, MEMS, optoelektronika ar galios elektronika, SiN substratai sudaro pagrindą pažangiausioms technologijoms, kurios formuoja elektronikos ateitį.