Silicio nitrido plokštelės

„Semicorex“ silicio nitrido plokštelės yra aukštos kokybės keraminiai substratai, skirti atlikti griežtą galios elektronikos naštą, siūlančią ilgą tarnavimo laiką ir aukštą šiluminį našumą, nes technologija tampa mažesnė ir reiklesnė.Silicio nitridasSubstratai pasiekia populiarumą dėl unikalaus mechaninio stiprumo, lūžių tvirtumo ir šilumos laidumo derinio, todėl jie yra patraukli substrato pasirinkimas didelio patikimumo, aukšto našumo galios moduliuose, kur įprastos medžiagos, tokios kaip aliuminio oksidas (Al₂o₃) ar aliuminio nitride (ALN), nebegali atitikti reikalavimo.

Didelis lūžių kietumas (K₁) suteikia silicio nitrido keramikos savybes, kurių neturi kitų substrato medžiagų. Šios plokštelės turi didelį atsparumą įtrūkimams ir gedimo pažeidimui, kurį sukelia šiluminis ciklas ar ciklinė apkrova. Tai reiškia, kad silicio nitrido plokštelėje bus didelis mechaninio ir šiluminio įtempio lygis, be pažeidimų, o tai padidina sistemos patikimumą. Didelio lenkimo stiprumo rezultatas yra plonesnis silicio nitrido plokštelių skerspjūvis; Todėl jie gali mažiau pasverti ir užimti mažiau vietos, atlikdami tokias pačias galimybes. Kalbant apie šiluminį našumą, silicio nitrido plokštelės veikia panašiai kaip ALN, greitai išsklaidant šilumą esant ekstremaliausioms savybės sąlygoms.

Kadangi našumo reikalavimai toliau progresuoja, ypač atsižvelgiant į elektrines ir hibridines elektrines transporto priemones (XEV), tradicinės keraminės medžiagos artėja prie jų apribojimų. Tais atvejais, kai lusto jungties temperatūra padidėja nuo 150 ° C iki 200 ° C, perjungimo nuostoliai gali sumažėti daugiau nei 10 %, o tai padidina sistemos efektyvumą. Šis šiluminis pranašumas turi didesnį poreikį, kad substrato medžiagų šiluminis ir mechaninis patikimumas gali atlaikyti, o silicio nitridų plokštelių struktūrinės savybės šiuose regionuose puikiai tinka.

Šiluminio smūgio tolerancija yra dar vienas svarbus Si₃n₄ plokštelių pranašumas. Dėl greito temperatūros pokyčių tolerancija suteikia Si₃n₄ plokšteles idealioje vietoje šiluminio smūgio pritaikymuose, kai vyksta keli galios važiavimas dviračiu. Didelės galios tankio moduliai nuolat įjungiami ir išjungdami įjungimo įjungimo įjungimo įjungimo įjungimo įjungimo ir išjungimo metu, kad būtų galima pratęsti visą gyvenimą ir sumažinti priežiūros pastangas.

Perėjimas prie pažangių pakavimo būdų, tokių kaip mazgai be litavimo ir be laidų, yra dar vienas aspektas reikalaujant substrato lūkesčių. Šie metodai pabrėžia geresnį elektrinį efektyvumą ir mechaninį tvirtumą, tačiau padidėjo surinkimo temperatūros ir substrato atsparumo streso reikalavimams. Silicio nitrido plokštelės gali įvykdyti šį reikalavimą.

Be mechaninės ir šiluminės naudos, silicio nitrido substratai yra pranašesni elektriniai izoliatoriai, palaikantys didelį dielektrinį stiprumą net esant aukštesnei temperatūrai. Tai užtikrina saugų ir patikimą aukštos įtampos programų veikimą, labai svarbų kuriant energijos elektroniką automobilių, pramoninėje ir atsinaujinančios energijos srityse.

Silicio nitrido plokščių pritaikymas nesustoja su elektrinėmis transporto priemonėmis, jos taip pat naudojamos pramoniniame variklių pavarose, vėjo galios keitikliuose, geležinkelio sukibime, aviacijos ir kosmoso galios moduliuose ir aukštos klasės vartojimo elektronikoje visur, kur reikia stabilios, termiškai laidžios ir elektriškai izoliuojančio substrato.

Pavyzdžiui, esant elektromobilių keitikliams, aukšta sankryžos temperatūra reiškia, kad dizaineriai gali sumažinti jų aušinimo reikalavimus, todėl gali būti lengvesnis svoris ir maksimalus sistemos efektyvumas, o vėjo turbinų keitikliuose santykinis šiluminis stabilumas ir mechaninis silicio nitrido patikimumas padeda išlaikyti patikimą našumą blogiausiomis aplinkos sąlygomis.

Silicio nitridas yra pagrindinis šiuolaikinės substrato technologijos virš aliuminio oksido ar aliuminio nitrido šuolis, leidžiantis plonesnius ir lengvesnius dizainus, ir, palyginti su praeitimi, siūlant geresnį tvirtumą ir patikimumą, leisdamas inžinieriams užtikrintai sukurti naujos kartos aukštos kokybės galios modulius.