SiC fokusavimo žiedas

Semicorex SiC Focus Ring yra tiksliai suprojektuotas žiedo formos komponentas, pagamintas iš didelio grynumo silicio karbido. SiC fokusavimo žiedas skirtas pažangioms puslaidininkių apdorojimo programoms. Didelio grynumo silicio karbidas užtikrina puikų terminį stabilumą (aukštą lydymosi temperatūrą), mechaninį ilgaamžiškumą (didelį kietumą) ir elektros laidumo savybes, kurios yra labai svarbios, kad atitiktų daugelio naujos kartos plokštelių gamybos technologijų specifikacijas. SiC Focus Ring yra komponentai, esantys plazmos ėsdinimo ir nusodinimo kameros komponentuose, ir atlieka esminį vaidmenį kontroliuojant plazmos pasiskirstymą, siekiant plokštelių vienodumo ir masinės gamybos produktyvumo.

Medžiagos grynumas ir SiC Focus Ring elektrinės charakteristikos yra vieni iš svarbiausių veiksnių, apibūdinančių šį komponentą ir skiriantį jį nuo keraminių medžiagų. Aukšto grynumosilicio karbidasskiriasi nuo tradicinių keraminių medžiagų, nes suteikia derinį 

kietumas, taip pat atsparumas daugeliui cheminių medžiagų ir unikalios elektrinės savybės. Pažymėtina, kad dar svarbiau yra tai, kad didelio grynumo silicio karbidas gali būti sukurtas naudojant priedus ir apdorojimo metodus, kad būtų pasiektas tinkamiausias laidumo ar įžeidžiančio veikimo lygis su idealiu puslaidininkių balansu sąveikauti su plazma, kad būtų užtikrintas stabilus veikimas daug energijos naudojančioje aplinkoje, kur didėja įkrovos ir elektros disbalanso tikimybė, kad gali atsirasti proceso klaidų.

Dėl plazmos krašto poveikio centre tankis didesnis, o kraštuose mažesnis. Fokusavimo žiedas dėl savo žiedinės formos ir CVD SiC medžiagos savybių sukuria specifinį elektrinį lauką. Šis laukas nukreipia ir apriboja įkrautas daleles (jonus ir elektronus) plazmoje su plokštelės paviršiumi, ypač krašte. Tai efektyviai padidina plazmos tankį krašte ir priartina jį prie centro. Tai žymiai pagerina ėsdinimo vienodumą visoje plokštelėje, sumažina kraštų pažeidimus ir padidina derlių.

„Mercury Manufacturing“ apdoroja SiC fokusavimo žiedą naudodama sudėtingus apdirbimo ir poliravimo procesus, kurie užtikrina griežtus matmenų nuokrypius ir lygų paviršiaus apdailą. Šių komponentų matmenų tikslumas leidžia suderinti juos su įvairiais puslaidininkinės įrangos tiekėjais, kad būtų užtikrintas daugelio plazminio ėsdinimo ir nusodinimo sistemų pakeičiamumas. Taip pat galima sukurti individualų dizainą, kad atitiktų specifinius proceso reikalavimus, įskaitant žiedo storį, vidinį ir išorinį skersmenį bei paviršiaus laidumo lygį.

SiC Focus Ring pritaikymas apima platų puslaidininkių gamybos spektrą: DRAM, NAND blykstę, loginius įrenginius ir naujas galios puslaidininkių technologijas. Kadangi prietaiso geometrijos mažėja ir toliau tobulėja per proceso mazgus, labai patikimų stabilių kamerų komponentų, tokių kaip SiC fokusavimo žiedas, poreikis tampa itin svarbus. SiC fokusavimo žiedas leidžia tiksliai valdyti plazmą ir nuolat gerina plokštelių kokybę, taip skatinant pramonės ambicijas kurti vis mažesnius, greitesnius ir efektyvesnius elektroninius prietaisus. „Semicorex SiC Focus Ring“ apibrėžia medžiagų mokslo, tiksliosios inžinerijos ir puslaidininkių procesų evoliucijos susikirtimo tašką. SiC fokusavimo žiedas pasižymi puikiu šiluminiu stabilumu, puikiu cheminiu atsparumu ir beveik specifiniu elektros laidumu. Dėl šių savybių jis yra labai svarbus komponentas užtikrinant patikimumą ir našumą procesų metu.