SiC padengti grafito tigliai

Įrengtas aukštos temperatūros kristalų auginimo krosnių centre,Padengtas SiCgrafito tigliai veikia kartu su šildytuvais, šilumos izoliacinėmis movomis, srauto nukreipimo vamzdžiais ir tiglio velenais, kad sudarytų visą šiluminio lauko sistemą. Ši terminio lauko sistema gali palaikyti stabilią aukštos temperatūros aplinką, būtiną kristalų augimui.

SiC dengto gamybagrafito tigliaipaprastai prasideda naudojant pažangią cheminio garų nusodinimo technologiją, kad tolygiai nusodintų tankussilicio karbidaspadengimas ant susidariusio grafito pagrindo paviršiaus. Sudarytas iš didelio grynumografitassubstratas ir tanki silicio karbido danga, SiC dengtas grafito tiglis sudaro sinergetinę struktūrą, kuri sujungia grafito šilumos laidumą su silicio karbido atsparumu korozijai.

Czochralskio metodas yra universali pramoninė kristalų auginimo technika. Šis metodas kristalų gamybos metu tiglį veiks išcentrine jėga. Didelis SiC dengtų grafito tiglių atsparumas lenkimui ir tvirtumas gali užkirsti kelią lūžimui ar įtrūkimams sukantis dideliu greičiu, taip veiksmingai sumažinant gamybos pertrūkius, atsirandančius dėl tiglio pažeidimo. Be to, per trumpą laiką šio proceso metu tigliai turi patirti drastiškų temperatūros svyravimų. Dėl puikaus atsparumo šiluminiam smūgiui SiC padengti grafito tigliai gali sumažinti konstrukcinius pažeidimus, susijusius su terminiu įtempimu, užtikrinti jų formos stabilumą, taip sumažinant kristalų augimo defektus, atsirandančius dėl tiglio deformacijos.

Esant aukštai temperatūrai, SiC padengti grafito tigliai sudarys tankų apsauginį silicio karbido sluoksnį. Šis apsauginis sluoksnis gali izoliuoti grafito pagrindą nuo silicio garų ir išlydyto silicio, taip sumažinant grafito pagrindo korozijos ir kristalų užteršimo riziką, susijusią su dangos lupimu. Todėl „Semicorex“ SiC padengti grafito tigliai gali ilgą laiką atlaikyti įvairias sudėtingas aukštos temperatūros korozijos aplinkas. Tai užtikrina vienodą kristalų sudėtį ir sumažina defektų skaičių, kurie abu yra būtini aukštos kokybės puslaidininkinių kristalų gamybai.