Puslaidininkiniai kvarciniai tigliai

Semicorex puslaidininkių klasėskvarciniai tigliaiyra gaminami naudojant elektros lanko lydymosi procesą. Jų trijų sluoksnių kompozicinę struktūrą sudaro vidinis didelio grynumo skaidrus sluoksnis, tarpinis pereinamasis sluoksnis ir išorinis burbulinis kompozicinis sluoksnis. Šie sluoksniai veikia sinergiškai, kad sukurtų puikų mechaninį stiprumą, optimizuotą šilumos valdymo efektyvumą ir ekonomiškumą.

Puslaidininkinių kvarcinių tiglių privalumai

1. Didelis grynumas:

Semiconductorex puslaidininkiniai kvarciniai tigliai turi neprilygstamą itin aukštą grynumą, o priemaišų kiekis (pvz., Al, Fe, Ca, Mg) griežtai kontroliuojamas ppm ar net ppb lygiu. Ši grynumo kontrolė veiksmingai apsaugo nuo priemaišų užteršimo monokristalinio silicio augimo proceso metu, taip apsaugodamas puslaidininkinių silicio plokštelių elektrines charakteristikas ir išeigą nuo šaltinio.

2. Puikus atsparumas aukštai temperatūrai

Semicorex puslaidininkių klasėskvarcastigliai gali būti nuolat naudojami 1100 ℃ aukštos temperatūros aplinkoje ir gali atlaikyti trumpalaikę aukštą 1450 ℃ temperatūrą. Dėl šios savybės Semicorex puslaidininkiniai kvarciniai tigliai gali visiškai atitikti puslaidininkių gamybos aukštos temperatūros reikalavimus, todėl labai išvengiama kristalų traukimo gedimo, kurį sukelia aukštos temperatūros deformacija ar minkštėjimas.

3. Išskirtinis terminis stabilumas

Semicorex puslaidininkiniai kvarciniai tigliai turi mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, kuris leidžia jiems išlaikyti konstrukcijos stabilumą greito kaitinimo ar aušinimo metu ir sumažina įtrūkimą ar deformaciją dėl terminio įtempio. Be to, naudodamiesi puikiu šilumos laidumu, „Semicorex“ puslaidininkiniai kvarciniai tigliai gali padėti pasiekti vienodą ir stabilų temperatūros lauko pasiskirstymą, taip pagerindami monokristalinio silicio strypų kokybę ir nuoseklumą.

4. Mažas burbulų turinys vidiniame sluoksnyje

Vidinis skaidrus Semicorex puslaidininkinių kvarcinių tiglių sluoksnis gali pasiekti itin mažą burbuliukų tankį dėl griežtos kontrolės. Tai gali sumažinti burbuliukų plėtimosi ir plyšimo trukdžius monokristalinio silicio augimo metu, taip sumažinant monokristalinio silicio strypų defektų dažnį.