Pagrindiniai silicio karbido (SiC) substratų parametrai

Grotelių parametrai:Siekiant sumažinti defektus ir įtempius, labai svarbu užtikrinti, kad substrato gardelės konstanta atitiktų auginamo epitaksinio sluoksnio konstantą.

Krovimo seka:Makroskopinė struktūraSiCsusideda iš silicio ir anglies atomų santykiu 1:1. Tačiau dėl skirtingų atominių sluoksnių išdėstymo susidaro įvairios kristalų struktūros. Todėl,SiCeksponuoja daugybę politipų, pvz3C-SiC, 4H-SiC ir 6H-SiC, atitinkančias krovimo sekas, tokias kaip ABC, ABCB, ABCACB, atitinkamai.

Moho kietumas:Labai svarbu nustatyti pagrindo kietumą, nes tai turi įtakos apdorojimo paprastumui ir atsparumui dilimui.

Tankis:Tankis turi įtakos mechaniniam stiprumui ir šiluminėms savybėmssubstratas.

Šiluminio plėtimosi koeficientas:Tai reiškia greitį, kuriuosubstratasJo ilgis arba tūris padidėja, palyginti su pradiniais matmenimis, kai temperatūra pakyla vienu laipsniu Celsijaus. Pagrindo ir epitaksinio sluoksnio šiluminio plėtimosi koeficientų suderinamumas esant temperatūros svyravimams turi įtakos prietaiso šiluminiam stabilumui.

Lūžio rodiklis:Optinėms reikmėms lūžio rodiklis yra kritinis parametras kuriant optoelektroninius prietaisus.

Dielektrinė konstanta:Tai turi įtakos įrenginio talpinėms savybėms.

Šilumos laidumas:Labai svarbus didelės galios ir aukštos temperatūros įrenginiuose, šilumos laidumas turi įtakos įrenginio aušinimo efektyvumui.

Juostos tarpas:Juostos tarpas rodo energijos skirtumą tarp valentinės juostos viršaus ir laidumo juostos apačios puslaidininkinėse medžiagose. Šis energijos skirtumas lemia, ar elektronai gali pereiti iš valentinės juostos į laidumo juostą. Didelės juostos tarpo medžiagoms reikia daugiau energijos, kad sužadintų elektronų perėjimą.

Elektros lauko gedimas:Tai didžiausia įtampa, kurią gali atlaikyti puslaidininkinė medžiaga.

Prisotinimo dreifo greitis:Tai reiškia didžiausią vidutinį greitį, kurį krūvininkai gali pasiekti puslaidininkinėje medžiagoje, kai yra veikiami elektrinio lauko. Kai elektrinio lauko stiprumas tam tikru mastu padidėja, nešiklio greitis toliau didėjant laukui nebedidėja ir pasiekia vadinamąjį soties dreifo greitį.**

„Semicorex“ siūlo aukštos kokybės SiC substratų komponentus. Jei turite kokių nors klausimų ar reikia papildomos informacijos, nedvejodami susisiekite su mumis.