„Semicorex ALD Planetary Susceptor“ yra svarbus ALD įrangoje dėl savo gebėjimo atlaikyti atšiaurias apdorojimo sąlygas, todėl užtikrina aukštos kokybės plėvelės nusodinimą įvairioms reikmėms. Kadangi pažangių puslaidininkinių įtaisų su mažesniais matmenimis ir geresniu našumu paklausa ir toliau auga, tikimasi, kad ALD planetinio susceptoriaus naudojimas ALD dar labiau plėsis.**
Programos:
Didelės k dielektrinis nusodinimas: ALD planetinis susceptorius pasižymi puikiu atsparumu agresyviems pirmtakams, naudojamiems nusodinant aukštos k dielektrines medžiagas, tokias kaip hafnio oksidas (HfO2) ir aliuminio oksidas (Al2O3). Dėl to ALD Planetary Susceptor tinka gaminti didelio našumo tranzistorius logikos ir atminties programoms.
Metalizavimo sluoksniai: ALD planetinio susceptoriaus stabilumas aukštoje temperatūroje leidžia nusodinti metalizacijos sluoksnius aukštesnėje temperatūroje, todėl pagerėjo plėvelės savybės, pvz., mažesnė varža ir didesnis tankis. Tai labai svarbu kuriant efektyvius pažangių puslaidininkinių įrenginių sujungimus.
Optoelektroninių prietaisų gamyba:Dėl inertiško ALD planetinio susceptoriaus pobūdžio sumažinamos nepageidaujamos reakcijos su pirmtakais, naudojamais nusodinant jautrias medžiagas, tokias kaip III-V puslaidininkiai, todėl ALD planetinis susceptorius puikiai tinka LED, lazerių ir kitų optoelektroninių komponentų gamybai.
ALD ciklas
Atominio sluoksnio nusodinimas (ALD)turi keletą pagrindinių pranašumų, palyginti su kitais plonasluoksniais nusodinimo būdais, todėl jis vis populiaresnis įvairioms reikmėms, ypač mikroelektronikoje ir nanotechnologijoje.
Štai keletas pagrindinių ALD pranašumų:
1. Angstrom lygio storio kontrolė:
ALD leidžia tiksliai valdyti plėvelės storį iki angstremo lygio (0,1 nanometro). Šis tikslumo lygis pasiekiamas savaime ribojančiomis paviršiaus reakcijomis, kai kiekvienas ciklas nusodina vieną atominį sluoksnį.
2. Puikus vienodumas ir atitiktis:
ALD pasižymi išskirtiniu vienodumu dideliuose paviršiaus plotuose ir sudėtingose 3D struktūrose, įskaitant didelio formato ypatybes, tokias kaip grioviai ir perėjimai. Tai labai svarbu tais atvejais, kai reikia vienodos sudėtingos geometrijos dangos, pavyzdžiui, puslaidininkiniuose įrenginiuose.
3. Žema nusodinimo temperatūra:
ALD galima atlikti santykinai žemoje temperatūroje (dažnai žemesnėje nei 300 °C), palyginti su kitais nusodinimo būdais. Tai naudinga šilumai jautriems pagrindams ir leidžia naudoti įvairesnes medžiagas.
4. Aukštos kokybės filmai:
ALD paprastai gamina plėveles, turinčias puikų tankį, mažą priemaišų lygį ir vienodą sudėtį bei storį. Šios savybės yra būtinos norint pasiekti optimalų našumą įvairiose srityse.
5. Platus medžiagų pasirinkimas:
ALD siūlo platų medžiagų, kurias galima nusodinti, pasirinkimą, įskaitant oksidus, nitridus, metalus ir sulfidus. Dėl šio universalumo jis tinka įvairiems pritaikymams.
6. Mastelio keitimas ir pramoninis pritaikymas:
ALD technologija yra labai keičiamo dydžio ir gali būti lengvai integruota į esamus gamybos procesus. Jis suderinamas su įvairių dydžių ir formų substratais, todėl tinkamas didelės apimties gamybai.