> Produktai > Vaflė > SiC substratas > 4" 6" didelio grynumo pusiau izoliuojantis SiC luitas

Produktai

Nauji produktai

4" 6" didelio grynumo pusiau izoliuojantis SiC luitas

„Semicorex“ siūlo didelio grynumo pusiau izoliacinį SiC luitą, kurio skersmuo yra 4 coliai ir 6 coliai. Jau daugelį metų esame vaflių gamintojai ir tiekėjai. Mūsų 4" 6" didelio grynumo pusiau izoliacinis SiC luitas turi gerą kainos pranašumą ir apima daugumą Europos ir Amerikos rinkų. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

Siųsti užklausą

Prekės aprašymas

Mūsų 4" 6" didelio grynumo pusiau izoliacinis SiC luitas turi gerą kainos pranašumą ir apima daugumą Europos ir Amerikos rinkų. Tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

4 colių pusiau izoliuojančio SiC luito specifikacija
Daiktai	Gamybos laipsnis	Manekeno klasė
Politipas	4H
Atsparumas/omai ·cm	TAI
Skersmuo	100,25±0,25 mm
Storis	≥15 mm
Paviršiaus orientacijos klaida	0±0,2°
Pirminė plokščia orientacija	[1–100]±5,0°
Pirminis plokščias ilgis	32,5±1,5 mm
Antrinis butas	90,0°CW nuo pirminio ±5,0°, silicio pusė į viršų
Antrinis plokščias ilgis	17±1,5 mm
Mikrovamzdžio tankis	≤1 e/cm2	≤10 e/cm2
Krašto įtrūkimai	≤ 3 iš ≤ 1 mm / vnt	≤5 iš ≤3 mm/vnt
Politipinės zonos	Nėra	≤5% ploto
Krašto įtraukos	≤3 ea，≤1mm plotis ir gylis	≤5 ea，≤2mm plotis ir gylis
Etiketė	C veidas
Pakuotė	vienetų-luitų kasetė, vakuuminė pakuotė

6 colių pusiau izoliuojančio SiC luito specifikacija
Daiktai	Gamybos laipsnis	Manekeno klasė
Politipas	4H
Atsparumas/omai ·cm	TAI
Skersmuo	150,25±0,25 mm
Storis	≥10 mm
Paviršiaus orientacijos klaida	0±0,25°
Įpjovos orientacija	[1–100]±5,0°
Įpjovos gylis	1 ~ 1,25 mm
Mikrovamzdžio tankis	≤1 e/cm2	≤10 e/cm2
Krašto įtrūkimai	≤ 3 iš ≤ 1 mm / vnt	≤5 iš ≤3 mm/vnt
Politipinės zonos	Nėra	≤5% ploto
Krašto įtraukos	≤3 ea，≤1mm plotis ir gylis	≤5 ea，≤2mm plotis ir gylis
Etiketė	C veidas
Pakuotė	vienetų-luitų kasetė, vakuuminė pakuotė