Pramonės naujienos

GaN taikymas

Yra daug galio nitrido (GaN) tipų, iš kurių labiausiai aptarinėjamas silicio pagrindu pagamintas GaN. Ši technologija apima GaN medžiagų auginimą tiesiai ant silicio pagrindo.

SK Siltron plečia SiC plokštelių gamybą su 544 mln. USD paskola iš JAV Energetikos departamento

JAV Energetikos departamentas (DOE) neseniai patvirtino 544 milijonų dolerių paskolą SK Siltron, puslaidininkių plokštelių gamintojui, priklausančiam SK grupei.

Silicio puslaidininkinių lustų ateities perspektyvų tyrinėjimas

Anglies pluošto kompozito taikymas

Anglies pluoštas (CF) yra pluoštinės medžiagos rūšis, kurioje yra daugiau nei 95% anglies.

Homoepitaksija ir heteroepitaksija paprastai paaiškinta

Homoepitaksija ir heteroepitaksija atlieka pagrindinį vaidmenį medžiagų moksle. Homoepitaksė apima kristalinio sluoksnio augimą ant tos pačios medžiagos pagrindo, užtikrinant minimalius defektus dėl tobulo gardelės atitikimo. Priešingai, heteroepitaksija išaugina kristalinį sluoksnį ant skirtingos m......

Kas yra žemos temperatūros plazminis ėsdinimas?

Plazma yra ketvirtoji materijos būsena ir atlieka lemiamą vaidmenį tiek pramonėje, tiek gamtos reiškiniuose.