> žinios

žinios

Kaip atlikti CMP procesą

Silicio plokštelių gamybos procese po to, kai kristalinis strypas supjaustomas į silicio plokšteles, jį reikės poliruoti ir išvalyti, kad būtų gauta vieno kristalo silicio plokštelė kaip veidrodis.

Skaityti daugiau

Kas yra CMP procesas

Puslaidininkių gamyboje atominio lygmens plokštumas paprastai naudojamas apibūdinti visuotinį plokštelės plokštumą, naudojant nanometrų (nm) vienetą.

Skaityti daugiau

Kokie yra sauso ir šlapiojo ėsdinimo privalumai ir trūkumai?

Odinimas yra esminis puslaidininkių gamybos procesas. Šį procesą galima suskirstyti į du tipus: sausą ėsdinimą ir šlapią ėsdinimą. Kiekviena technika turi savo privalumų ir apribojimų, todėl labai svarbu suprasti jų skirtumus. Taigi, kaip pasirinkti geriausią ėsdinimo būdą? Kokie yra sauso ir šlapio......

Skaityti daugiau

Pagrindinė medžiaga SiC augimui: tantalo karbido danga

Dabartiniai trečiosios kartos puslaidininkiai daugiausia gaminami iš silicio karbido, o substratai sudaro 47 % įrenginio sąnaudų, o epitaksė – 23 %, iš viso apie 70 % ir sudaro svarbiausią SiC įrenginių gamybos pramonės dalį.

Skaityti daugiau

Jonų implantavimo ir difuzijos procesas

Jonų implantavimas yra puslaidininkių dopingo metodas ir vienas pagrindinių puslaidininkių gamybos procesų.

Skaityti daugiau

Jonų implantavimo technologijos iššūkiai SiC ir GaN maitinimo įrenginiuose

Manoma, kad plataus dažnio juostos (WBG) puslaidininkiai, tokie kaip silicio karbidas (SiC) ir galio nitridas (GaN), vaidins vis svarbesnį vaidmenį galios elektroniniuose įrenginiuose. Jie turi keletą pranašumų, palyginti su tradiciniais silicio (Si) įrenginiais, įskaitant didesnį efektyvumą, galios......

Skaityti daugiau

<...10 11 12 13 14...30 >