Kas yra SiC epitaksija?

Silicio karbido (SiC) epitaksija yra pagrindinė technologija puslaidininkių srityje, ypač kuriant didelės galios elektroninius prietaisus. SiC yra sudėtinis puslaidininkis su plačiu pralaidumu, todėl jis idealiai tinka naudoti, kai reikia veikti aukštoje temperatūroje ir aukštoje įtampoje.

SiC epitaksija yra plono kristalinės medžiagos sluoksnio auginimas ant pagrindo, paprastai silicio, naudojant cheminio nusodinimo garais (CVD) arba molekulinio pluošto epitaksijos (MBE) metodus. Epitaksinio sluoksnio kristalinė struktūra ir orientacija yra tokia pati kaip substratas, todėl galima sudaryti aukštos kokybės sąsają tarp dviejų medžiagų.

SiC epitaksija buvo plačiai naudojama kuriant galios elektroniką, įskaitant galios įrenginius, tokius kaip diodai, tranzistoriai ir tiristoriai. Šie įrenginiai naudojami įvairiose srityse, pavyzdžiui, elektrinėse transporto priemonėse, atsinaujinančios energijos sistemose ir maitinimo šaltiniuose.

Pastaraisiais metais didėja susidomėjimas SiC epitaksijos kūrimu, skirtu didelės galios prietaisams, pvz., elektrinėms transporto priemonėms ir atsinaujinančios energijos sistemoms, gaminti. Tikimasi, kad ateinančiais metais šių įrenginių paklausa sparčiai augs, nes reikės efektyvesnių ir tvaresnių energijos sistemų.

Atsižvelgdami į šį poreikį, mokslininkai ir įmonės investuoja į SiC epitaksijos technologijos kūrimą, daugiausia dėmesio skiriant proceso kokybei gerinti ir mažinti sąnaudas. Pavyzdžiui, kai kurios įmonės kuria SiC epitaksiją ant didesnių substratų, kad sumažintų plokštelės kainą, o kitos tiria naujus būdus, kaip sumažinti defektų tankį.

SiC epitaksija taip pat naudojama kuriant pažangius jutiklius, skirtus įvairioms reikmėms, įskaitant dujų jutimą, temperatūros jutimą ir slėgio jutimą. SiC pasižymi unikaliomis savybėmis, dėl kurių jis idealiai tinka tokioms reikmėms, pavyzdžiui, stabilumas aukštoje temperatūroje ir atsparumas atšiaurioms aplinkoms.