Kas yra SOI

Silicis ant izoliatoriaus (SOI) yra pripažintas vienu iš sprendimų, pakeičiančių esamas monokristalinio silicio medžiagas nanotechnologijų eroje ir yra pagrindinė priemonė, padedanti išlaikyti Moore'o įstatymo tendenciją. Silicon-on-insulator – substrato technologija, pakeičianti tradicinį masinį pagrindo silicį „sukurtu“ pagrindu, daugiau nei 30 metų naudojama specializuotose srityse, tokiose kaip karinės ir kosminės elektronikos sistemos, kur SOI turi unikalių pranašumų dėl savo puikių savybių. atsparumas radiacijai ir didelės spartos charakteristikos.

SOI medžiagos yra SOI technologijos plėtros pagrindas, o SOI technologijos plėtra priklauso nuo nuolatinio SOI medžiagų tobulėjimo. Pigių, aukštos kokybės SOI medžiagų trūkumas buvo pagrindinis SOI technologijos apribojimas patekti į didelio masto pramoninę gamybą. Pastaraisiais metais, bręstant SOI medžiagų paruošimo technologijai, palaipsniui sprendžiama medžiagų problema, ribojanti SOI technologijos plėtrą, kuri galiausiai apima dviejų tipų SOI medžiagų paruošimo technologiją, būtent Speration-by-deguonies implantaciją (SIMOX). ir klijavimo technologija. Klijavimo technologija apima tradicinę „Bond and Etch back“ (BESOI) technologiją ir „Smart-cut“ technologiją, jungiančią vandenilio jonų įpurškimą ir sujungimą, pasiūlytą vieno iš SOITEC įkūrėjų Prancūzijoje M. Bruel, taip pat „Simbond SOI“ medžiagų paruošimo derinį. deguonies izoliacija ir surišimas, kurį 2005 m. pasiūlė dr. Meng Chen. Naujoji technologija sujungia deguonies įpurškimo izoliaciją ir sujungimą.