- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Pramonės naujienos
Lustų gamyba: plonos plėvelės procesai
Puslaidininkio plonasluoksnio nusodinimo procesas yra esminis šiuolaikinės mikroelektronikos technologijos komponentas. Tai apima sudėtingų integrinių grandynų konstravimą ant puslaidininkinio pagrindo dedant vieną ar kelis plonus medžiagos sluoksnius.
Skaityti daugiau
Aukštos kokybės SiC kristalų augimas naudojant temperatūros gradiento valdymą pradinėje augimo fazėje
Silicio karbidas (SiC) yra plataus diapazono puslaidininkinė medžiaga, kuri pastaraisiais metais sulaukė didelio dėmesio dėl savo išskirtinio veikimo aukštos įtampos ir aukštos temperatūros srityse. Šiame tyrime sistemingai tiriamos įvairios SiC kristalų, auginamų naudojant modifikuotas proceso sąly......
Skaityti daugiau
Elektrinės varžos pasiskirstymo n-tipo 4H-SiC kristaluose tyrimas
4H-SiC, kaip trečios kartos puslaidininkinė medžiaga, garsėja plačiu pralaidumu, dideliu šilumos laidumu ir puikiu cheminiu bei terminiu stabilumu, todėl yra labai vertinga didelės galios ir aukšto dažnio įrenginiuose.
Skaityti daugiau
