Vaflių gamyba

Tobulėjant technologijoms, paklausavafliaitoliau kyla. Šiuo metu pagrindiniai silicio plokštelių dydžiai vidaus rinkoje yra 100 mm, 150 mm ir 200 mm. Silicio skersmens didinimasvafliaigali sumažinti kiekvieno lusto gamybos sąnaudas, todėl didėja 300 mm silicio plokštelių paklausa. Tačiau didesni skersmenys taip pat kelia griežtesnius reikalavimus pagrindiniams parametrams, tokiems kaip plokštelės paviršiaus lygumas, priemaišų pėdsakų kontrolė, vidiniai defektai ir deguonies kiekis. Todėl plokštelių gamyba tapo pagrindiniu lustų gamybos tyrimų akcentu.

Prieš gilinantis į plokštelių gamybą, būtina suprasti pagrindinę kristalų struktūrą.

Medžiagų vidinės atominės struktūros skirtumas yra esminis veiksnys skiriant jas. Kristalinės medžiagos, tokios kaip silicis ir germanis, turi atomus, išsidėsčiusius fiksuota periodine struktūra, o nekristalinėms medžiagoms, tokioms kaip plastikai, tokio tvarkingo išdėstymo trūksta. Silicis tapo pagrindine plokštelių medžiaga dėl savo unikalios struktūros, palankių cheminių savybių, natūralios gausos ir kitų privalumų.

Kristalinės medžiagos turi du atominės struktūros lygius. Pirmasis lygis yra atskirų atomų struktūra, sudaranti vienetinę ląstelę, kuri periodiškai kartojasi visame kristale. Antrasis lygis reiškia bendrą šių vienetinių ląstelių išdėstymą, žinomą kaip gardelės struktūra, kur atomai užima konkrečias gardelės pozicijas. Atomų skaičius vienetinėje ląstelėje, jų santykinė padėtis ir surišimo energija tarp jų lemia įvairias medžiagos savybes. Silicio kristalų struktūra priskiriama deimantų struktūrai, sudaryta iš dviejų į paviršių orientuotų kubinių grotelių, išilgai įstrižainės pasislinkusių ketvirtadaliu įstrižainės ilgio.

Kristalų periodiškumo ir simetrijos charakteristikos reikalauja paprastesnio atomų padėčių apibūdinimo metodo, o ne universalios trimatės stačiakampės koordinačių sistemos. Norėdami geriau apibūdinti atominį pasiskirstymą kristale pagal jo gardelės periodiškumą, mes pasirenkame vienetinį elementą pagal tris pagrindinius principus. Ši vienetinė ląstelė efektyviai atspindi kristalo periodiškumą ir simetriją ir tarnauja kaip mažiausias pasikartojantis vienetas. Nustačius atomines koordinates vienetinėje ląstelėje, galime lengvai nustatyti santykines dalelių padėtis visame kristale. Sukūrę koordinačių sistemą, pagrįstą trimis vienetinės ląstelės briaunų vektoriais, galime žymiai supaprastinti kristalų struktūros apibūdinimo procesą.

Kristalinė plokštuma apibrėžiama kaip plokščias paviršius, susidarantis kristale išsidėsčius atomams, jonams ar molekulėms. Priešingai, kristalų kryptis reiškia konkrečią šių atomų išdėstymo orientaciją.

Kristalinės plokštumos pavaizduotos naudojant Millerio indeksus. Paprastai skliausteliuose () nurodomos kristalų plokštumos, laužtiniai skliaustai [] nurodo kristalų kryptis, kampiniai skliaustai <> reiškia kristalų krypčių šeimas, o garbanoti skliaustai {} reiškia kristalų plokštumų šeimas. Puslaidininkių gamyboje silicio plokštelėms dažniausiai naudojamos kristalinės plokštumos yra (100), (110) ir (111). Kiekviena kristalų plokštuma turi unikalių savybių, todėl tinka įvairiems gamybos procesams.

Pavyzdžiui, (100) kristalinės plokštumos daugiausia naudojamos gaminant MOS įrenginius dėl jų palankių paviršiaus savybių, kurios palengvina slenkstinės įtampos valdymą. Be to, plokšteles su (100) kristalų plokštumų lengviau tvarkyti apdorojant, o paviršiai yra palyginti lygūs, todėl jie idealiai tinka didelio masto integriniams grandynams gaminti. Priešingai, (111) kristalinės plokštumos, turinčios didesnį atominį tankį ir mažesnes augimo sąnaudas, dažnai naudojamos dvipoliuose įrenginiuose. Šias plokštumas galima pasiekti atidžiai valdant kristalo kryptį augimo proceso metu, pasirenkant tinkamą sėklinio kristalo kryptį.

(100) kristalinė plokštuma yra lygiagreti Y-Z ašiai ir kerta X ašį taške, kuriame vieneto reikšmė yra 1. (110) kristalinė plokštuma kerta ir X, ir Y ašis, o (111) kristalinė plokštuma kertasi visos trys ašys: X, Y ir Z.

Struktūrine perspektyva (100) kristalinė plokštuma sudaro kvadrato formą, o (111) kristalinė plokštuma įgauna trikampę. Dėl skirtingų kristalų plokštumų struktūros skirtumų taip pat skiriasi plokštelės lūžimo būdas. Plokštės, nukreiptos išilgai <100>, linkusios lūžti į kvadrato formas arba sudaryti lūžius stačiu kampu (90°), o išilgai <111> nukreiptos plokštelės skyla į trikampius fragmentus.

Atsižvelgiant į unikalias chemines, elektrines ir fizines savybes, susijusias su vidinėmis kristalų struktūromis, specifinė plokštelės kristalų orientacija daro didelę įtaką bendram jos veikimui. Todėl paruošimo proceso metu labai svarbu griežtai kontroliuoti kristalų orientaciją.

Semicorex siūlo aukštos kokybėspuslaidininkinės plokštelės. Jei turite kokių nors klausimų ar reikia papildomos informacijos, nedvejodami susisiekite su mumis.

Telefonas pasiteirauti # +86-13567891907

paštas: sales@semicorex.com