2024-09-14
Neseniai „Infineon Technologies“ paskelbė sėkmingai sukūrusi pirmąją pasaulyje 300 mm galios galio nitrido (GaN) plokštelių technologiją. Tai daro juos pirmąja įmone, kuri įvaldė šią novatorišką technologiją ir pasiekia masinę gamybą esamoje didelio masto, didelio pajėgumo gamybos aplinkoje. Ši naujovė žymi didelę pažangą GaN pagrindu pagamintų galios puslaidininkių rinkoje.
Kaip 300 mm technologija lyginama su 200 mm technologija?
Palyginti su 200 mm technologija, naudojant 300 mm plokšteles, vienoje plokštelėje galima pagaminti 2,3 karto daugiau GaN lustų, o tai žymiai padidina gamybos efektyvumą ir našumą. Šis proveržis ne tik sustiprina Infineon lyderystę elektros energijos sistemų srityje, bet ir paspartina greitą GaN technologijos plėtrą.
Ką apie šį pasiekimą pasakė „Infineon“ generalinis direktorius?
„Infineon Technologies“ generalinis direktorius Jochenas Hanebeckas pareiškė: „Šis puikus pasiekimas parodo mūsų tvirtą jėgą inovacijų srityje ir yra nenumaldomų mūsų pasaulinės komandos pastangų įrodymas. Esame tvirtai įsitikinę, kad šis technologinis proveržis pakeis pramonės normas ir atskleis visas GaN technologijos galimybes. Praėjus beveik metams po „GaN Systems“ įsigijimo, dar kartą parodome savo pasiryžimą pirmauti sparčiai augančioje GaN rinkoje. Kaip energijos sistemų lyderė, „Infineon“ įgijo konkurencinį pranašumą trijų pagrindinių medžiagų: silicio, silicio karbido ir GaN.
„Infineon“ generalinis direktorius Jochenas Hanebeckas turi vieną iš pirmųjų pasaulyje 300 mm „GaN Power“ plokštelių, pagamintų esamoje ir keičiamo dydžio didelės apimties gamybos aplinkoje.
Kodėl 300 mm GaN technologija yra naudinga?
Vienas reikšmingas 300 mm GaN technologijos pranašumas yra tas, kad ją galima gaminti naudojant esamą 300 mm silicio gamybos įrangą, nes GaN ir silicis turi panašumų gamybos procesuose. Ši funkcija leidžia „Infineon“ sklandžiai integruoti „GaN“ technologiją į dabartines gamybos sistemas, taip paspartindama technologijos pritaikymą ir pritaikymą.
Kur „Infineon“ sėkmingai pagamino 300 mm GaN plokšteles?
Šiuo metu „Infineon“ sėkmingai gamina 300 mm GaN plokšteles esamose 300 mm silicio gamybos linijose savo elektrinėje Vilache, Austrijoje. Remdamasi nusistovėjusiais 200 mm GaN technologijos ir 300 mm silicio gamybos pagrindais, bendrovė dar labiau išplėtė savo technologinius ir gamybos pajėgumus.
Ką šis proveržis reiškia ateičiai?
Šis proveržis ne tik išryškina Infineon stipriąsias inovacijų ir didelio masto gamybos galimybes, bet ir padeda tvirtą pagrindą būsimai galios puslaidininkių pramonės plėtrai. Kadangi GaN technologija ir toliau vystosi, Infineon ir toliau skatins rinkos augimą ir toliau stiprins savo lyderio pozicijas pasaulinėje puslaidininkių pramonėje.**